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为什么Nor flash的插除速度要远远慢于Nand flash
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各位资深工程师，想请教大家一个问题，为什么Nor flash的插除速度
要远远慢于Nand flash，他们擦除都是以块为单位，擦除应该是
并行的吧，从cell的组成来看都是浮动栅极、源极、漏级，只是它们
的排列组织不一样，但是从擦除的角度而言应该时间不会差这么多。
问题的根源是什么？
要远远慢于Nand flash，他们擦除都是以块为单位，擦除应该是
并行的吧，从cell的组成来看都是浮动栅极、源极、漏级，只是它们
的排列组织不一样，但是从擦除的角度而言应该时间不会差这么多。
问题的根源是什么？
做芯片的可能要了解这么多吧，对于使用而言只要了解时间多少就行了
没有具体对比过数据，不过nor有sector擦除和整片擦除模式，
nand以块为单位写入和擦除，而nor以bit为单位
