手机充电回路中晶体管的问题

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1、充电器里的晶体管主要关注哪些?除了正常的电压电流spec安全区域、功耗散热等
还需要注意什么?在评价的时候具体需要做哪些工作?功耗评价需要空载、带载两方面吗?
是否对晶体管尺寸很在意?比如如果尺寸变小表面温度稍微上升会不会被考虑采用?
2、手机内部充电管理部分是不是基本都是MOS管控制?选用时需要注意什么?有什么具体要求.FRD或SBD会不会用到?
3、现在TVS管基本被用在哪里?是不是只是在高速传输线被用到?还是压敏电阻用的最多?
希望有经验的兄弟姐妹不吝赐教!万分感谢!!!

此处充电控制用一个P-MOS,一般选D-S饱和导通持续电流>1A,D-S最大电压>20V,因为电池充电控制的功率P-MOS其实是当作一个DC-DC的线性电流调整管来用，故要求线性度要好（参照V-I放大曲线）
不过没有充分自信还是不要替换此MOS，原参考设计是哪个就用哪个，因为很多手机方案设计的源头大多在欧美，多数是用的vishay或者On Semi,不同的厂家V-I曲线截止电压与导通放大斜率可能不同，要在软件中相应对充电控制部分做修改

多谢 jamesbond指教!
学习了!

有個問題,為甚麼一般都選用P-MOS管,而不是N-MOS

为什么有时用三极管代替PMOS?

PMOS比NMOS要便宜，在一些开关速度要求不高的地方也可以用三极管，毕竟三极管的各方面的耐压耐流（相同价格条件下）要比MOS管好

为什么是P-MOS?
P-MOS饱和导通电阻小,效率高

为什么是P－MOS？
一般来说，N－MOS比P－MOS便宜，原因是两者的衬底不同，P型衬底不容易把Rdson做下来。
但是由于N－MOS是需要在Gate和Source加正压才导通，而P－MOS是无需，而是加负压关断，所以理所当然要用PMOS了，因为在不充电是，自然在Gate和Source之间是负压，自动关断。充电时，把Gate直接结Source就导通了。
TVS当然要用到重要的和USER接触最多的接口上了，其比Varistor性能好得多呢。

自相矛盾

一般用PMOS,如果用NMOS就必须要一个boost才能使NMOS导通，充电中用MOS，是工作在开关状态，而用Transistor则工作在放大状态

我觉得很奇怪，为什么充电平台上，用两个PMOS需要两个pin脚来控制呢？为什么不用一个pin脚来控制？

现在TVS管基本被用在哪里?是不是只是在高速传输线被用到?还是压敏电阻用的最多?
答：低速传输，也用TVS管，确切的说，高速传输需要电容值做的更低的TVS，因此价格上比低速传输用TVS会稍贵些。
压敏电阻用在容易有静电进来的I/O口保护电路部分，起ESD作用。
不过电流过大的话，压敏电阻和TVS都容易坏掉，要权衡使用。
一般I/O接口保护多用压敏电阻，UIM卡、TF卡等用TVS，这是个人习惯问题，不一定都是如此。
Littlefuse、Semtech等厂家在ESD方面的技术都比较不错

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