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中芯国际双核芯片测试结果达1.3GHz
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6月20日消息，中芯国际和灿芯半导体宣布，采用中芯国际40纳米低漏电工艺的ARM Cortex-A9 MPCore双核芯片测试结果达到1.3GHz。
该测试芯片基于ARM Cortex-A9双核处理器设计，采用中芯国际的40纳米低漏电工艺。处理器包括一个32KB I-cache和32KB D-cache以及其他所需之存储器模块、ARM NEON、调试和追踪的ARM CoreSight等等， 另外还透过AMBA AXI总线集成了内建SRAM与DMA、NOR flash、SDRAM、VGA等介面。除了高速标准单元库以外，该测试芯片还采用了中芯国际高速定制存储器和单元库以提高性能。
该测试芯片基于ARM Cortex-A9双核处理器设计，采用中芯国际的40纳米低漏电工艺。处理器包括一个32KB I-cache和32KB D-cache以及其他所需之存储器模块、ARM NEON、调试和追踪的ARM CoreSight等等， 另外还透过AMBA AXI总线集成了内建SRAM与DMA、NOR flash、SDRAM、VGA等介面。除了高速标准单元库以外，该测试芯片还采用了中芯国际高速定制存储器和单元库以提高性能。
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