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手机扩展卡之T卡
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T－Flash卡
支持机型举例：摩托罗拉E398、E1000、A1000
特点：体积最小的存储卡
面对手机的加入，存储卡必须尽力往“小”发展才能适应市场。2004年2月28日，SanDisk发布了目前世界上最小的可移动闪存卡T－Flash。这种只有手指甲般大小的存储卡主要用于新型移动电话和DC、DV等电子消费品。T－Flash的体积为11×15×1立方毫米，即便在RS－MMC面前也是个不折不扣的“小个子”，由于T－Flash的出现，手机制造商可以在不改变手机体积、甚至将手机制作得更小的前提下，给手机加入强大的可移动存储容量性能。
T－Flash使用了最先进的封装工艺、SanDisk最新的NAND MLC闪存和控制器技术，是一种低成本、高容量的生产工艺。据业内人士分析，如果价格适当，T－Flash将会很快成为大多数多媒体手提电话的首选存储卡，同时会对3G手机的发展形成一定的影响。目前，摩托罗拉是第一个在产品中使用T－Flash卡的手机品牌，除了先前提到的E398外，摩托罗拉还将在两款3G新品E1000和A1000上采用T－Flash。
支持机型举例：摩托罗拉E398、E1000、A1000
特点：体积最小的存储卡
面对手机的加入，存储卡必须尽力往“小”发展才能适应市场。2004年2月28日，SanDisk发布了目前世界上最小的可移动闪存卡T－Flash。这种只有手指甲般大小的存储卡主要用于新型移动电话和DC、DV等电子消费品。T－Flash的体积为11×15×1立方毫米，即便在RS－MMC面前也是个不折不扣的“小个子”，由于T－Flash的出现，手机制造商可以在不改变手机体积、甚至将手机制作得更小的前提下，给手机加入强大的可移动存储容量性能。
T－Flash使用了最先进的封装工艺、SanDisk最新的NAND MLC闪存和控制器技术，是一种低成本、高容量的生产工艺。据业内人士分析，如果价格适当，T－Flash将会很快成为大多数多媒体手提电话的首选存储卡，同时会对3G手机的发展形成一定的影响。目前，摩托罗拉是第一个在产品中使用T－Flash卡的手机品牌，除了先前提到的E398外，摩托罗拉还将在两款3G新品E1000和A1000上采用T－Flash。
Pin AssignmentsSD Mode1 DAT2 I/O/PP Data Line [bit 2]
2 CD/DAT3 I/O/PP Card Detect / Data Line [Bit 3]
3 CMD PP Command Response
4 VDD S Supply Voltage
5 CLK I Clock
6 VSS S Supply Voltage Ground
7 DAT0 I/O/PP Data Line [bit 0]
8 DAT1 I/O/PP Data Line [bit 1]SPI Mode1 RSV --- ---
2 CS I Chip Select (neg true)
3 DI I Data in
4 VDD S Supply voltage
5 SCLK I Clock
6 VSS S Supply voltage ground
7 DO O/PP Data out
8 RSV --- ---
为什么叫T-flash,T是指什么？
T-FLASH卡都是NAND FLASH的吗？
我也不明白哦. 听听工程师的见解.
T-flash有叫TRANS-FASH。里面跟NAND类似，但工艺不同。比纯粹的NAND-FLASH多了一个处理器。是SANDISK公司发明的，SPEC跟SD，MINISD一样。没通过SD协会认证之前叫T-FLASH，现已经改名为MICRO-SD。
现在有新的MMCMicro,主要推动者是Nokia和Samsung.主要制造商是Samsung.他是基于一种新的协议,但是这种协议是免协议费的,所以MMCMicro的成本要比SD和T-Flash有优势,大概64M要少1美圆多.但是从技术上它是有不可比拟的优势的,体积和T-Flash基本相当,但是访问速度要比T-Flash快6倍以上.明年Nokia和Samsung将联合在手机产品中采用新的MMCmicro卡,相信Nokia和Samsung联合(2者各占手机35%和14%的销售量)推动下,MMCMicro必定在未来几年发展壮大.以下是MMCmicro的一些数据和特性.也可以去http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/FlashCard/MMC/micro_mmc.htm浏览详细资料.Higher Performance
> Use the high performance technology SLC(Single Layer Cell)
- X1 MMCmicro : > 1.9MB/s
- X4 MMCmicro : > 7.0MB/s
MMCmicro can operate on both 1.8V and 3V supply voltage
Lower Power Consumption
> Dual Voltage Support
> Lower Stand-by Current
Higher Density
> Use 5-Stack technology
- 512MB in early ’05, 1GB in late ‘05
Stronger Mechanical Spec
> Verified ESD immunity in current MMC
- Contact : 4KV, Air Discharge : 15KV
Open Standard Interface
> Use MMC interface
MMCmicro extends battery life and eliminate the need for voltage step-up circuits to power card slots in 1.8V systems.
> For example, TI OMAP 1710 chipset supplies only 1.8V to card now
> If 3V card is used, needs level-shifter
Data recorded on a dual-voltage card in a mobile phone operating at 1.8 V can be read by a PDA or similar device
operating at 3 V.
楼主能否解释一下: SPI MODE 和 SD MODE有什么差别,各有什么优缺点?
目前你能使用到的存储卡都是基于nand flash结构的,只是大家用的控制器不一样
控制器的优劣直接导致卡的效率,目前做的最好的应该是SD,TF的几乎跟SD差不多
不过作为经常读写的存储介质不建议使用MLC结构的nand,寿命是个原因
大厂的说的是10,000次,不过有8,000次就该偷笑了
小厂的一般做到5,000次,实际就4,000次
SPI MODE 和 SD MODE是两种不同的模式,网站是SD的介绍,你看那个就能深刻了解了
要说SPI和SD的优缺点，一般看BB的功能：
1、TI、Marvell的平台侧重中高端，如OMAP系列、PXA270等，一般内部都有SD模块，所以肯定用SD模式，速度较快；
2、Spreadtrum和Silab等面向中低端，如SC6600、Si4905等内部没有SD模块，而SPI接口经常是和UART共享，所以经常使用其他IO口模拟SPI，采用SPI模式访问T卡，速度应该没有第1种快；
3、第2种情况下，在外接IMAGE IC时，如果该DSP刚好有SD模块接口，就使用SD模式，速度较快。
只是在第2种情况下，为什么不使用其BB自带的SPI接口呢？难道是因为SPI的三线一般共享UART和JTAG模块的接口么？如果用的话，他们的工作怎么才能不冲突？
拜求各位高工指教啊！
