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A5X封装技术已改变

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  全新iPad3被iFixit拆解之后,里面的秘密迅速被曝光出来。新款iPad3的内部零件与我们期望中的差不多,采用的是高通的MDM9600 LTE基带。苹果的A5X芯片摈弃了POP层叠封装技术,如今使用两个分立的DRAM(动态随机存储器)。从拆解我们也可到了,那是两块512MB的Elpida LP-DDR2,如图的黄色部分。A5芯片则是采用双通道(2x32位)LP-DDR2,数据传输速率高达800MHz。

ipad3


与大多数DRAM制造商一样,Elpida更新其部件号解码器的效率很低,所以我们无法查找到这两块DRAM,部件号码为B4064B2MA-8D-F。我们只知道,字母“B”是说移动/低功耗DDR2内存,数字“40”代表DRAM的密度,4可能是4Gbit,但0在这里就有点奇怪了,因为它通常是指DRAM的页面大小。“64”也有些奇怪,通常这是指DRAM接口的宽度,64暗指的内容可能不正确,也有可能理解错误。
苹果如今在A5X芯片上使用一块金属散热片,你或许已经猜到,苹果的封装技术也有所改变了,从原先的引线接合封装,转换到现在的倒装芯片(裸芯片封装技术之一)。采用倒装芯片封装技术可以更好地散热,还可以激活更多的I/O引脚。随着芯片复杂程度的增加,从模具穿引铜线来封装很快成为瓶颈技术。
不过,也有可能苹果在A5芯片就已经采用了倒装芯片封装技术,只不过隐藏在PoP层叠封装的外衣下。这样的例子有,英特尔的Medfield使用了FC-BGA封装,但外层还是用PoP封装的掩盖。

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