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三星今年系统晶片扩大产能至20万片以上
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综合外电 据南韩电子新闻报导，三星电子(Samsung Electronics) 2011年上半系统晶片产能约5万颗，2012年计划到年底前扩产制20万颗。过去主要生产快闪记忆体的器兴14产线和9产线，2011年底已转换为系统LSI产线，接着三星将会再转换其他产线来扩大产能。
三星及南韩业者透露，原本生产快闪记忆体的器兴9产线在2011年底已转换为12吋(300mm)系统LSI产线。器兴9产线最大产能为5万颗，三星在2012年上半将会把产量扩大到最大产能。
三星目前也正将量产快闪记忆体的器兴14产线转换为12吋系统LSI产线，目前产能约为2万颗。6月前将会把产能扩大到每月8万颗。
三星奥斯汀厂的系统LSI产线S2 2011年12月已全部量产。目前运作中的系统LSI产线若包含器兴6产线、7产线及S1产线，三星在海内外已拥有8条系统LSI产线。
目前的生产规模以12吋晶原来计算，2012年下半时每月估计可超越22万颗，较2011年底每月11万颗增加2倍以上。以8吋晶圆为主的5~7产线每月产能12万颗，以6吋晶圆为主的4产线每月产能4万颗。
三星生产快闪记忆体的器兴8产线也将于2012年内转换为12吋系统LSI产线并投入量产。若8产线转换完成，每月生产规模将达5万颗。
南韩业者表示，三星从2011年底就在考虑将8产线转换成系统LSI产线，估计2012年内可完成转换作业。若8产线也转生产系统LSI，器兴厂将成为系统LSI专门生产厂。
就中长期而言，三星也正在计划是否将同时生产系统LSI及NAND Flash的美国奥斯汀厂也转成系统LSI专门生产工厂。三星2013年将会在大陆兴建NAND Flash产线，外界推测奥斯汀厂的N= D Flash产线可能会移转至大陆，并将空出的位置转生产系统LSI。
南韩半导体设备业者透露，三星2012年底将会成为拥有最大系统LSI产能的单一企业。这也成为三星拉近与英特尔差距的一个契机。
2011年英特尔营收为540亿美元，相较在半导体事业营收34兆韩元(约301亿美元)的三星仍显得相当有余裕。2012年三星计划将半导体营收提升至46兆韩元，缩短与英特尔间的差距。
三星及南韩业者透露，原本生产快闪记忆体的器兴9产线在2011年底已转换为12吋(300mm)系统LSI产线。器兴9产线最大产能为5万颗，三星在2012年上半将会把产量扩大到最大产能。
三星目前也正将量产快闪记忆体的器兴14产线转换为12吋系统LSI产线，目前产能约为2万颗。6月前将会把产能扩大到每月8万颗。
三星奥斯汀厂的系统LSI产线S2 2011年12月已全部量产。目前运作中的系统LSI产线若包含器兴6产线、7产线及S1产线，三星在海内外已拥有8条系统LSI产线。
目前的生产规模以12吋晶原来计算，2012年下半时每月估计可超越22万颗，较2011年底每月11万颗增加2倍以上。以8吋晶圆为主的5~7产线每月产能12万颗，以6吋晶圆为主的4产线每月产能4万颗。
三星生产快闪记忆体的器兴8产线也将于2012年内转换为12吋系统LSI产线并投入量产。若8产线转换完成，每月生产规模将达5万颗。
南韩业者表示，三星从2011年底就在考虑将8产线转换成系统LSI产线，估计2012年内可完成转换作业。若8产线也转生产系统LSI，器兴厂将成为系统LSI专门生产厂。
就中长期而言，三星也正在计划是否将同时生产系统LSI及NAND Flash的美国奥斯汀厂也转成系统LSI专门生产工厂。三星2013年将会在大陆兴建NAND Flash产线，外界推测奥斯汀厂的N= D Flash产线可能会移转至大陆，并将空出的位置转生产系统LSI。
南韩半导体设备业者透露，三星2012年底将会成为拥有最大系统LSI产能的单一企业。这也成为三星拉近与英特尔差距的一个契机。
2011年英特尔营收为540亿美元，相较在半导体事业营收34兆韩元(约301亿美元)的三星仍显得相当有余裕。2012年三星计划将半导体营收提升至46兆韩元，缩短与英特尔间的差距。
