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射频PA的CMOS和GaAs是什么意思
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射频PA有CMOS和GaAs的，这两者之间是工艺还是材料的差异？ CMOS比GaAS两者性能之间有什么差异？请工程师指教，多谢。
材料。
CMOS跟GaAs完全是两种材料，目前由于GaAs的特性及其适合做PA，所以很多性能要优于CMOS，不过在小功率上，CMOS工艺可以跟主芯片集成在一块，
GaAs电子迁移速率是传统SI的六倍，所以截止频率高 适合作为PA， 常见的PA多为InGaP材质。
但是CMOS工艺比较成熟，容易和transceiver集成在同一芯片内，但是前提是解决好大信号和小信号的隔离比较困难。
一般这种SOC带内杂散都比较高
5楼正解，主要是PA核的工艺材料不同，虽然CMOS有很大成本优势，但工艺技术还不够成熟，使用中还有很多问题。
学习了，多谢各位的讲解。
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路过学习一下
个人认为这就是目前为什么PA还不能集成到一个单芯片中的原因。
CMOS PA的效率比GaAs PA的效率低，这是目前CMOS PA没有大量被采用的原因，
但是其功耗和成本有一定优势，这也是单芯片解决方案的唯一出路。
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。
