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TX power与温度关系
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温度升高会导致TX power减少,请问为什么!
因为传输路径的阻抗变大。
RF器件随着温度的悲有悲的。看看器件的规格书，常温下和最高温度和最低温度的特性指标
应该是和器件有关系，可以查一下规格书
可以加上温度补偿电路来改善
谢谢同仁的热心回答.根据规格书,知道结论,我的问题是想进一步思考,为什么?我希望可以从半导体,物理的角度来分析,温度升高-->电子移动速度变慢-->S21减少???可能是这样的关系，我不能确认.
很简单吧.温度升高,你的传输线的电阻增大,最简单的基础知识.初中应该讲过吧.
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一般会设定一组PA的温度补偿的值，看不同PA的输出功率的温度平坦度了
不是传输线阻抗增大，初中知识应该是说导体阻抗随温度升高而增大吧，但是在射频里面这个不是主要因素，估计因为这个引起的差损应该在0.0xdB（不知道说多了没有）。引起发射功率下降的主要原因是随着温度的升高，功放管的增益降低。同时“温度升高，电子移动速度变慢也是错误的” 随着温度的升高，电子运动是加快的。大家还记得‘布朗运动’吧，虽不是电子，但是还是很能说明问题的
不能用布朗运动来理解吧，布朗运动是随机运动，而电流已经是电子定向运动的结果，本质上讲是由两端电势差的高低决定的，速度与阻抗有关。固体物理学得不怎么样，大家讨论。
我曾测过高低温下的传输线的衰耗，低温会减小，高温会增加，大概有0.5dB吧。
顶楼上的, 终于有了知音.
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。
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