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高通AP拟整合Rx芯片，TI无线充电霸主地位蒙尘
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德州仪器(TI)无线充电晶片霸主地位正遭受应用处理器厂商(AP)威胁。随着高通(Qualcomm)先后宣布加入无线充电联盟(WPC)与电力事业联盟(PMA)后，该公司将无线充电接收器(Rx)整合至处理器的企图心已愈来愈明显，一旦相关产品推出，势将对德州仪器在无线充电晶片的市占率造成不小冲击。
致伸技术平台资深经理丘宏伟表示，未来处理器业者将接收器整合后，势必将造成无线充电晶片市占率排名重新洗牌。
致伸技术平台资深经理丘宏伟表示，从高通目前一次跨足三大无线充电标准阵营的动作，即可看出该公司亟欲掌握每一个标准联盟的最新动态，藉此观察不同标准规格的市场发展走向，以利未来该选择何种标准进行元件整合，并透过此一布局大举挥军无线充电市场，同时争食德州仪器无线充电接收器市场。
据了解，现阶段由于德州仪器的无线充电解决方案整合度较高，因此有近六成的市占率，其余四成则由飞思卡尔、IDT与日系晶片商分食，但未来若高通将接收器整合至应用处理器后，则无线充电接收器市占率势必将重新洗牌，而德州仪器的市场领先地位也将面临极大的挑战。
事实上，无线充电接收器是由微控制器(MCU)、电源控制演算法与金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)所组成，从技术角度而言，应用处理器业者将接收器整合为系统单晶片(SoC)是可行方案，但仍有一些技术挑战与风险存在。
富达通无线充电事业部经理詹其哲指出，无线充电晶片的峰值电压最高为20V，远超过处理器可承受的范围，因此处理器业者若没有做好防护措施，当突发性峰值出现时，很可能会烧坏昂贵的应用处理器，且MOSFET现阶段也难以整合至全数位化的主晶片中，因此仍有其技术瓶颈存在。
不过，丘宏伟认为，尽管无线充电电压峰值过高对应用处理器是潜在风险，但随着电源管理晶片(PMIC)的效能日益精进，将足以应付低功率接收器的电压防护需求，而MOSFET亦可外挂至主板上，所以相关技术问题相信不久后即可迎刃而解。
丘宏伟分析，未来接收器整合至应用处理器将是必然趋势，而高通挟行动装置处理器高市占率的优势，不仅可大幅降低接收器成本，且能加速无线充电市场渗透率扩大，为一举数得的市场策略。
值得注意的是，不光是高通打算将无线充电接收器整合至应用处理器，联发科目前也正加紧研发相关解决方案，并积极参与三大标准组织的会议，期盼能抢先布局此一元件整合策略，让中低价智慧型手机与平板电脑使用者也能以最低的成本拥有无线充电功能。
致伸技术平台资深经理丘宏伟表示，未来处理器业者将接收器整合后，势必将造成无线充电晶片市占率排名重新洗牌。
致伸技术平台资深经理丘宏伟表示，从高通目前一次跨足三大无线充电标准阵营的动作，即可看出该公司亟欲掌握每一个标准联盟的最新动态，藉此观察不同标准规格的市场发展走向，以利未来该选择何种标准进行元件整合，并透过此一布局大举挥军无线充电市场，同时争食德州仪器无线充电接收器市场。
据了解，现阶段由于德州仪器的无线充电解决方案整合度较高，因此有近六成的市占率，其余四成则由飞思卡尔、IDT与日系晶片商分食，但未来若高通将接收器整合至应用处理器后，则无线充电接收器市占率势必将重新洗牌，而德州仪器的市场领先地位也将面临极大的挑战。
事实上，无线充电接收器是由微控制器(MCU)、电源控制演算法与金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)所组成，从技术角度而言，应用处理器业者将接收器整合为系统单晶片(SoC)是可行方案，但仍有一些技术挑战与风险存在。
富达通无线充电事业部经理詹其哲指出，无线充电晶片的峰值电压最高为20V，远超过处理器可承受的范围，因此处理器业者若没有做好防护措施，当突发性峰值出现时，很可能会烧坏昂贵的应用处理器，且MOSFET现阶段也难以整合至全数位化的主晶片中，因此仍有其技术瓶颈存在。
不过，丘宏伟认为，尽管无线充电电压峰值过高对应用处理器是潜在风险，但随着电源管理晶片(PMIC)的效能日益精进，将足以应付低功率接收器的电压防护需求，而MOSFET亦可外挂至主板上，所以相关技术问题相信不久后即可迎刃而解。
丘宏伟分析，未来接收器整合至应用处理器将是必然趋势，而高通挟行动装置处理器高市占率的优势，不仅可大幅降低接收器成本，且能加速无线充电市场渗透率扩大，为一举数得的市场策略。
值得注意的是，不光是高通打算将无线充电接收器整合至应用处理器，联发科目前也正加紧研发相关解决方案，并积极参与三大标准组织的会议，期盼能抢先布局此一元件整合策略，让中低价智慧型手机与平板电脑使用者也能以最低的成本拥有无线充电功能。
