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第二代OmniVision背面照度像素技术采用65nm规则
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OmniVision Technologies宣布推出世界第一款 1.1 微米背面照度像素技术。这套全新的 OmniBSI-2 像素架构可以为新的成像解决方案提供优越的成像质量，对低照度更为敏感。这个架构还将 OmniVision 的像素产品发展方向延伸至亚微米水平，同时也将带动数字成像技术中的微型化发展。
OminiVision 全球行销副总裁 Bruce Weyer 表示：“OmniBSI-2 让高解析度成像感应器解决方案产品的外观尺寸不断缩小，凭借较小的 z 高度可制造超薄产品。”他还说：“OmniBSI-2 还将数字成像市场向前推进，因为它可以改善成像质量，增强低照度的性能，由此改善用户在使用影像应用程序时的体验。OmniBSI-2 技术还可以应用在大像素成像产品的设计上，从而获得更佳性能，超越当前的 BSI 和 FSI 成像传感器。”
OmniBSI-2 是 OmniVision 的第二代 BSI 技术，也是第一个利用了 65 纳米设计规则，以 300 毫米铜材料工艺完成的像素技术。这项技术是我们与战略生产合作伙伴台积电协作完成的。在结合了特制的 65 纳米设计规则和新的生产工艺模块之后，这个 1.1 微米 OmniBSI-2 像素技术达到了行业领先的低照度敏感度，同时还可以大量改善暗电流和最大阱容。OmniBSI-2 特制的像素设计规则可以取得更优越的像素排列、更好的像素隔离，并显著降低像素串扰。这些优势大大超越了第一代 OmniBSITM 技术，可以产生更好的图像质量、增强图像的色彩并改善相机的性能。
OmniVision 的工艺工程部门副总裁 Howard Rhodes 博士表示：“将新款的 1.1 微米 OmniBSI-2 像素技术与当前的 1.75 微米 FSI 架构相比，前者的性能远远超越后者；同时前者还与当前正在量产的 1.4 微米BSI技术相当。在我们向 1.1 微米 BSI 像素结构转移的过程中，必须使用台积电最新的 300 毫米铜材料工艺，这个工艺可以显著改善设计规则，使用更多的先进工艺工具，因此获得更严谨的工艺控制，减少缺陷密度。要获得这些成功，我们与台积电的研发团队紧密地合作，开发了多个新工艺模块，以获得在光电性能上的改善。我们还利用了我们与合资伙伴 VisEra Technologies 的合作关系，建立了 300 毫米彩色滤光片的生产能力。”
“OmniVision 和台积电在 CMOS 成像传感器开发过程中一直就是长期伙伴。我们的工程团队与他们合作，推动了数字成像技术的发展，同时我们也形成了卓越的开发和生产伙伴关系。”台积电北美分公司的业务管理副总裁 Sajiv Dalal 说到。他还接着说：“OmniVision 改用 300 毫米的生产流程后，获得了明显的竞争优势。而我们将继续投注心力，增进我们的效率，以便在技术上获得更多领先。”
台积电拥有世界最大的 CIS 生产能力，并且还拥有行业中最领先的 CIS 技术。在 2009 年，台积电可生产一千万片 8 英寸晶片，比 2008 年增加了 6%。
Rhodes 博士表示：“台积电这个伙伴在我们转移到这个先进工艺的过程中发挥了非常高的价值。他们在 300 毫米工艺上拥有深厚经验和专业知识，不断增强传感器性能，这一切都为我们这款新像素技术提供了无限的助力。”
