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日美20余家芯片公司联手:MRAM能否革掉DRAM的命?

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    据《日经》Asian Review报道,日美超过20家芯片业公司正联手开发名为MRAM的下一代"磁阻随机存取存储器"的芯片技术。这些企业包括东京电子、信越化学、瑞萨电子、日立、以及美国内存巨头镁光科技。它们将向位于日本北部的东北大学"抽调出数十名研究人员",团队领导人为远藤哲夫(Tetsuo Endoh)教授,开始时间为明年2月。

与DRAM不同,MRAM采用的是磁存储的手段(DRAM为电荷或电流)。
据《日经》报道,MRAM的功率消耗只有DRAM的1/3,而容量和写入速度都可以达到DRAM的10倍。这使得MRAM成为了下一代智能手机和平板电脑的绝配。
至于产品商业化后的具体表现,还有待观察,预计MRAM的量产会从2018年开始。更多有关MRAM的内容,可移步EngineerLive.com作进一步了解。

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