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日媒：东芝开发新存储器让手机省电20%
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很多使用者对智能手机充满电后都用不上1天感到不满。如果省电技术得以普及，IT设备的易用性将得到改善。 CPU的耗电量占智能手机耗电量的约1/3。在CPU内部，用于存储数据的“静态随机存取存储器(SRAM)”的耗电量较大。
东芝开发出了比SRAM省电的新一代半导体MRAM。MRAM具有即使切断电源也能保持记录的特性，由通过磁力来记忆信号的元件和放大微弱信号的电路构成。东芝通过使电路靠近元件来提高处理速度，实现了毫不逊色于SRAM的性能。
东芝表示，如果推向实用化将“有望使智能手机的耗电量减少20%”。以电源待机时间为10小时的智能手机为例，其待机时间将增加到12小时。
预计MRAM作为主力存储器将替代一般的“动态随机存储器(DRAM)”。此次东芝还为MRAM替代SRAM开辟了道路。东芝计划2015财年(截至16年3月)之前开发出嵌入新型MRAM的CPU，力争实现商业化。
日立制作所面向服务器等产品开发出了在利用SRAM的同时还能省电的技术。SRAM方面，虽然可实现省电和高速化的电路细微化技术取得了发展，但是达到一定程度后很容易出现信号误差，导致SRAM的性能出现下降。过去通过施加高电压将信号误差几乎控制为零，不过该技术会影响省电效果。
日立转变了一直以来的思考方式，容忍可忽略的误差发生，开发出了可抑制SRMA驱动电源的设计方法。与系统控制有关的重要处理方面，通过软件来维持驱动电压，计算处理则根据事先设定的误差率来下调电压。
据称采用该方法计算机也能正常工作。预计还可以用于图像处理等。在模拟试验中，容忍5%的误差率的情况下，可将耗电量削减20%左右。
据称这一误差率在人观看图像时感觉不到图像出现劣化的范围内。日立计划20年将该方法推向实用，这将有助于信息社会的基础设施数据中心的节能化。
另一方面，由富士通和三菱电机等10家厂商组成的的超低电压装置技术研究联盟开发出了面向构成MRAM的记忆元件的微细加工技术。具体来说，首先制作出直径为35纳米(1纳米为10亿分之1米)的圆形元件，之后使元件周围氧化，将元件工作部分直径缩小至20纳米。
尽管微细化对实现省电有效，但是加工起来十分困难。据称相比一开始就将元件加工为直径20纳米，新技术的精确度更高、成本也更低。加入研究联盟的各厂商计划为高性能MRAM的实用化做出贡献。
