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3D NAND时代来临韩国抢占次世代硬遮罩市场
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据ET News报导，韩国计划以3D NAND Flash存储器制程转换为契机，反攻硬遮罩蒸镀设备市场。新半导体制程技术3D NAND时代来临后，也将为上游产业设备、材料业界带来庞大的商机。
三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、东芝(Toshiba)等半导体大厂均已开始或准备量产3D NAND Flash，带动硬遮罩市场的新需求。
硬遮罩是半导体微影制程中，支撑光罩(photomask)的辅助材料。 2D制程硬遮罩蒸镀设备市场由应材(Applied Materials)等全球性大厂主导；韩国设备厂TES，则以内需市场为主。
2013年三星电子启动3D NAND量产，接着预计2014年5月完工的大陆西安厂也将引进3D制程。垂直堆叠的3D NAND制程，特性上die堆叠层数越多，需要耐蚀刻性越强的硬遮罩。目前三星电子的3D NAND制程以24层结构为主，但韩国业界推测未来堆叠数将会达到30~40层以上。
韩国政府最快将在6月展开3D NAND制程用硬遮罩蒸镀材料、设备研发事业。在超过24层堆叠结构的3D NAND制程中，需要研发比现有硬遮罩耐蚀刻性大幅提升的蒸镀材料和设备。
而韩国政府的研发事业目标，在超越应材和Lam Research等全球化企业所持有的技术和性能。 3D NAND制程市场现在正在引进阶段，为因应未来制程正式扩大及技术发展的可能性，韩国将率先抢攻海外市场。
目前韩国产业通商资源部旗下的韩国产业技术评价管理院，正开放接收各企业和研究机构的研发企划申请，并进行审查。 5月完成审查后将选定最终执行机构。
韩国企业也正加速研发3D NAND制程用硬遮罩蒸镀设备。 TES已研发出3D NAND制程硬遮罩蒸镀设备，并于2013年第3季开始对客户交货。该产品为24层结构用蒸镀设备。 TES将加强相关领域的设备研发，以拓宽供货范围。
