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存储器再成三星最大获利来源 4Q产值恐较前季衰退
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三星电子(Samsung Electronics)过去最大获利来源─半导体事业，自2011年第3季起被其另一获利支柱─IM(Information technology & Mobile communications)事业部取代，至3年后的2014年第3季，方因IM事业获利急转直下，供需结构已趋于稳定的半导体事业再度成为三星最大获利来源。
因包括标准型(Standard)、行动装置、伺服器用DRAM位元需求量皆较前季增温，三星2014年第3季DRAM营收较前季成长18.7%，达5.32兆韩元(约51.5亿美元)，SK海力士(SK Hynix)亦成长7.1%，达3.28兆韩元，皆创下至少2011年以来新高记录，合计韩厂该季DRAM营收达8.59兆韩元，较前季增加14%，较2013年同期则成长28.2%。
NAND Flash方面，两公司合计营收为3.53兆韩元，较前季增加幅度略低于DRAM表现，为10.8%，与2013年同期相较，则略减0.9%，主因在于三星西安厂产能正式开出导致价格持续下跌。
展望第4季，因11月中至12月记忆体出货状况系于2015年1、2月终端需求表现，而1月需求较淡，2月需求热络与否关键为大陆年节购买力道，加上NAND Flash产能增加导致价格下跌压力恐持续，且第3季垫高基期，DIGITIMES Research预估第4季南韩记忆体产业产值与第3季相较恐略衰减。
1Q’10~3Q’14三星半导体与IM事业部营业利益比较
注：IM指 Information technology & Mobile communications，包括手机、网路系统、平板电脑、电脑与相机等。
因包括标准型(Standard)、行动装置、伺服器用DRAM位元需求量皆较前季增温，三星2014年第3季DRAM营收较前季成长18.7%，达5.32兆韩元(约51.5亿美元)，SK海力士(SK Hynix)亦成长7.1%，达3.28兆韩元，皆创下至少2011年以来新高记录，合计韩厂该季DRAM营收达8.59兆韩元，较前季增加14%，较2013年同期则成长28.2%。
NAND Flash方面，两公司合计营收为3.53兆韩元，较前季增加幅度略低于DRAM表现，为10.8%，与2013年同期相较，则略减0.9%，主因在于三星西安厂产能正式开出导致价格持续下跌。
展望第4季，因11月中至12月记忆体出货状况系于2015年1、2月终端需求表现，而1月需求较淡，2月需求热络与否关键为大陆年节购买力道，加上NAND Flash产能增加导致价格下跌压力恐持续，且第3季垫高基期，DIGITIMES Research预估第4季南韩记忆体产业产值与第3季相较恐略衰减。
1Q’10~3Q’14三星半导体与IM事业部营业利益比较
注：IM指 Information technology & Mobile communications，包括手机、网路系统、平板电脑、电脑与相机等。
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