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彻底干掉NAND闪存！RRAM来袭

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　 NAND闪存已经成为固态存储的现行标准，并且正在向3D立体堆叠和更新工艺迈进，不过它也存在诸多问题，尤其是寿命随着工艺的先进化而不断缩短，TLC格式也引发了诸多质疑，因此研发一种可取而代之的新式非易失性存储技术势在必行。

这其中最有希望的就是电阻式RAM(简称RRAM)，三星、闪迪等巨头都在投入，但走在最前列的是一家美国创业公司Crossbar。

Crossbar成立于2010年，总部位于加州生克拉拉，已融资5000多万美元。公司的很多创业人员都来自密歇根大学，首席科学家、联合创始人Wei Lu(卢伟)就是那里的副教授。团队现有40-45人，大多都有深厚的半导体研发背景。

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