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ReRAM存储来袭：比闪存快20倍
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初创公司Crossbar近日发布了一款全新的ReRAM存储芯片。ReRAM一直被认为是未来闪存的替代方案，前者能在单块芯片上存储1T数据，存取速率比后者快20倍。如果这类芯片能够投入量产，将极大地冲击全球600亿美金的闪存市场。
在很长一段时间内，闪存一直作为电子工业非常重要的基石——它的应用从iPhone、平板到数码相机等各式各类的数码电子——支撑起全球估值1.1万亿美金的消费市场。
但Crossbar表示ReRAM（又称RRAM）的出现将引发移动、消费电子和联网设备的一系列创新。也正是因为这样的潜力，Crossbar目前已经从Kleiner Perkins Caufield & Byers，Artiman Ventures和Northern Light等多家VC募集到2500万美金的投资。
Crossbar研发的芯片大致能在单片的规模上存下250小时的高清视频，并且芯片规格要小于闪存。其他的数据显示：ReRAM存储芯片的能耗是闪存的1/20，数据擦写上限是后者的10倍。
ReRAM的数据存储实现更类似于改变材料本身的电阻而非直接存储电荷。当你对ReRAM的材料施加电流时，材料本身的电阻会发生改变——而电阻的状态可以作为“0”或者“1”而被读取。目前关于ReRAM的研究多数集中在材料的探索和电阻状态的读取上。
George Minassian，Crossbar的CEO表示他们的设计特别之处在于，已经可以预见3年之内就会投入量产——他表示这项技术的量产并不困难。
不过技术的新老交替面临的问题总是要有损既得利益者——尤其是当现有的技术达到了非常大的经济规模。闪存芯片的处理能力也许没有这么快，但如果芯片商们投入更多的资金和精力在现有设计的优化上，还是有可能将ReRAM绞杀在试验阶段的；同时量产时ReRAM的价格也是一个重要的因素。
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