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赐教：射频有屏蔽罩的传导杂散比无屏蔽罩的要差5-6dB，为何.
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射频PA+FEM加上屏蔽罩的传导杂散更差（DCS的二三次谐波），不知是何原因，请赐教！
怀疑你的屏蔽罩的接地和PA输入或输出的走线离得过近,或它们的过孔.另外,有些平台要求屏蔽罩的地和射频的地在第一层是不能连在一起的.最好到主地再连在一起.
楼上的解释有创意
楼主说的是二三次谐波，那可能有两种原因：
1. 屏蔽罩影响了PA输出匹配（原因是改变等效介电常数），导致PA非线性增强，这种情况同时会有其他非线性指标恶化。
2. 若前端BPF是半开放场结构，屏蔽罩会使BPF失谐降低性能，导致带外抑制度下降。
这论坛真怪，回贴没奖励，一堆人黑了心卖资料，以后要少来。
个人觉得，是否屏蔽罩形成腔体，同时导致了BPF谐振点改变，影响了BPF性能。另外可能导致PA轻微自激。
顺便说一句3楼的兄弟好帅！
各位，屏蔽罩目前的孔径是1.5，能否通过修改屏蔽罩来修改！改匹配电路能否可行？
楼主所说的将PA+FEM屏蔽框加上，是不是没有将PA与FEM、Tranceiver分开处理，个人认为不应该将PA和FEM地连在一起，起码要有地隔离，这样很容易产生寄生耦合，也会使BPF滤波衰减谐波能力变差。
有可能是屏蔽盖接地不好，使得谐波通过屏蔽盖的反射绕过FEM
可在BPF对应部位开口，开口大小略大于BPF平面尺寸即可解决半开放场BPF问题。当然，能把BPF移出屏蔽罩更好。PA本身的失配则可通过调整输出匹配解决。不过前一种可能性较大。
原来回贴还是有奖的，错怪版主了。
我在FEM后端(到RF CON)加了一个带阻滤波器,有很大改善,此滤波网络也在屏蔽盖内!给位老大说的屏蔽罩开口也很有效果,谢谢!
哪位高手能够出来解释一下到底是什么原因？
屏蔽罩离PA和FEM的高度是否足够？
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。
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