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后DRAM时代 核心技术/应用是生存关键

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标准型DRAM产业经营环境陷入困境,就连龙头大厂三星电子拥有市占率与技术的优势下,也直喊很辛苦。研究机构集邦科技认为,今年DRAM市场的发展将出现重大变革,除核心技术仍将攸关获利表现之外,产品应用是否能搭上产业成长趋势,也是持续生存下去的关键。

综观过去整体DRAM市场的获利关键,几乎取决于产能的扩充与制程不断的再精进,从早期的  90nm、65nm制程至今已来到30nm、甚至20nm制程,制程的微缩虽使成本持续下降,但同时伴随着是颗粒数的高成长,加上近年PC出货年成长已大幅趋缓,记忆体搭载容量亦失成长动能,      DRAM产业在需求力道不再强劲的影响之下,不但获利难度越来越高,制程微缩的动作甚至远跟不上跌价的速度。
    集邦科技认为,2012年DRAM市场的发展将会产生重大的变革。首先,DRAM产能的扩充将渐趋理性,加上转进20nm难度极高,且需要高额的资本支出购买EUV等先进机台,即使龙头三星半导体亦不得不在制程精进上放慢脚步。

另外,集邦科技预估,今年整体DRAM的年供给位元成长率仅有22%,较数年前动辄50%的年成长已大幅趋缓,不幸的是,供给位元的减缓并不足以代表整体DRAM产业供过于求的颓势能够获得纾解。

这也代表着,各DRAM厂获利的关键必须转向核心技术开发能力再作竞争,例如随着智慧型手机与平板电脑的兴起,带动行动式记忆体的需求,如已在2011年第四季成为行动式记忆体出货主流LPDDR2,或者是今年下半年即将量产的LPDDR3,甚至是Wide-IO与LPDDR4,能够拥有核心技术的DRAM厂便是获利赢家。

同时,云端需求的兴起亦使原本深耕于伺服器记忆体的DRAM厂获益,DDR3的4Gb-Mono颗粒成为另一个获利指标。另外,在标准型DRAM上面,今年亦有许多产品以DDR3为基础上再进化,如着眼于Ultrabook的兴起,为了精进省电效能以延长使用时效,厂商已开发出低电压版的DDR3L,在省电机制的强化上亦发展出DDR3M的产品,亦有厂商考虑将GDDR导入标准型记忆体中,在绘图上与游戏上可以有比标准型记忆体更佳的表现。

DRAM厂在后续的获利竞赛仍有一番激烈竞逐,落后者势必逐渐将产能退出,在拥有核心技术力的DRAM厂才有机会在后续市场中持续获利与生存。

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