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后DRAM时代 核心技术/应用是生存关键
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标准型DRAM产业经营环境陷入困境，就连龙头大厂三星电子拥有市占率与技术的优势下，也直喊很辛苦。研究机构集邦科技认为，今年DRAM市场的发展将出现重大变革，除核心技术仍将攸关获利表现之外，产品应用是否能搭上产业成长趋势，也是持续生存下去的关键。
综观过去整体DRAM市场的获利关键，几乎取决于产能的扩充与制程不断的再精进，从早期的 90nm、65nm制程至今已来到30nm、甚至20nm制程，制程的微缩虽使成本持续下降，但同时伴随着是颗粒数的高成长，加上近年PC出货年成长已大幅趋缓，记忆体搭载容量亦失成长动能， DRAM产业在需求力道不再强劲的影响之下，不但获利难度越来越高，制程微缩的动作甚至远跟不上跌价的速度。
集邦科技认为，2012年DRAM市场的发展将会产生重大的变革。首先，DRAM产能的扩充将渐趋理性，加上转进20nm难度极高，且需要高额的资本支出购买EUV等先进机台，即使龙头三星半导体亦不得不在制程精进上放慢脚步。
另外，集邦科技预估，今年整体DRAM的年供给位元成长率仅有22%，较数年前动辄50%的年成长已大幅趋缓，不幸的是，供给位元的减缓并不足以代表整体DRAM产业供过于求的颓势能够获得纾解。
这也代表着，各DRAM厂获利的关键必须转向核心技术开发能力再作竞争，例如随着智慧型手机与平板电脑的兴起，带动行动式记忆体的需求，如已在2011年第四季成为行动式记忆体出货主流LPDDR2，或者是今年下半年即将量产的LPDDR3，甚至是Wide-IO与LPDDR4，能够拥有核心技术的DRAM厂便是获利赢家。
同时，云端需求的兴起亦使原本深耕于伺服器记忆体的DRAM厂获益，DDR3的4Gb-Mono颗粒成为另一个获利指标。另外，在标准型DRAM上面，今年亦有许多产品以DDR3为基础上再进化，如着眼于Ultrabook的兴起，为了精进省电效能以延长使用时效，厂商已开发出低电压版的DDR3L，在省电机制的强化上亦发展出DDR3M的产品，亦有厂商考虑将GDDR导入标准型记忆体中，在绘图上与游戏上可以有比标准型记忆体更佳的表现。
DRAM厂在后续的获利竞赛仍有一番激烈竞逐，落后者势必逐渐将产能退出，在拥有核心技术力的DRAM厂才有机会在后续市场中持续获利与生存。
