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三星大陆NAND厂建案获南韩政府放行 月产能达1万片
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南韩知识经济部4日宣布，三星电子(Samsung Electronics Co.)在去(2011)年12月6日申请在中国大陆兴建高阶NAND型快闪记忆体厂房的计划已获得产业科技安全委员会批准。
知识经济部在声明稿中指出，产业科技安全委员会曾召开两次会议，评估三星保护科技的计划、在大陆扩充市场的需求以及技术外泄的可能性，并作出让三星前往大陆建厂的决定。
知识经济部表示，三星的厂房兴建计划仍需获得大陆政府的核准，一旦完成所有行政程序，三星就会在今年下半年开始动工。目前厂房的兴建地点还未决定，而竣工后该厂每个月将能生产10,000片12寸晶圆。
知识经济部指出，一般来说，海外建厂计划通常只需检查是否有技术外泄的疑虑，但本次评量还额外包括三星的计划是否会冲击到南韩经济。考虑到这项计划的重要性，委员会曾要求三星提出如何处理该公司在南韩投资可能萎缩的补救措施，并评估这项计划对南韩经济造成的冲击。
此外，三星也已同意，在大陆制造的终端产品将内建相同份量的南韩制零组件，同时还将扩大在南韩本土的投资。
三星曾于去年12月6日表示，该公司拟首度在中国大陆设立一座NAND型快闪记忆体生产厂，主因该地生产成本较为低廉以及政府乐于鼓励外商投资半导体产业。这座新厂预定在2012年动工兴建，到了2013年便可望投产。英国金融时报报导，分析师估算三星对此厂的投资将介于4-6兆韩圜之间。
