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尔必达成功开发出新型记忆体--ReRAM
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尔必达存储器股份有限公司（总公司：日本东京都中央区，总裁兼CEO：坂本幸雄 以下简称为“尔必达”）此次成功开发出一种次世代新型记忆体：高速非挥发性可变电阻式记忆体（ReRAM）。采用电路线宽50nm（奈米、※注1）世代的加工制程技术制作的样品，作为ReRAM实现了世界最高水准的大容量：64M（Maga、※注2）位，并已确认记忆体单元阵列之动作。此次开发作为与NEDO（独立行政法人 新能源?产业技术総合开发机构）的共同研究事业，与夏普株式会社、独立行政法人 产业技术総合研究所以及东京大学共同展开此项研发。
ReRAM（Resistance Random Access Memory）为采用可通过施加电压使其电阻值发生变化的材料为元件的次世代半导体记忆体。为即便关闭本记忆体的电源亦可维持资料记忆的非挥发性的新型记忆体，最大的特点在于可高速进行资料的读/写且低耗电。与其对比，虽然DRAM在资料的读/写速度及次数等方面比现存的非挥发性记忆体优越，但具有一旦关闭电源则资料消失的特性（挥发性）。另一方面，作为非挥发性记忆体的代表性产品的NAND快闪记忆体，虽然关闭电源亦可保持资料，但在性能方面不如DRAM。而ReRAM正是兼具这两种产品之优点的半导体记忆体。ReRAM的改写速度为10ns（纳秒、※注3），具备与DRAM同等的速度，同时改写次数在100万次以上，实现了NAND快闪记忆体之10倍以上的耐久性能。
今后将加快开发进程，努力在2013年实现采用30nm制程且容量为G（Giga、※注4）位级的ReRAM量产目标。与NAND快闪记忆体等现存的非挥发性记忆体相比，如能以低成本提供高速且改写次数多的新型记忆体，则可大幅度削减装载在智慧型手机、平板设备、超薄型轻量笔记型电脑等各种资讯设备上的存储装置（记录媒体）用记忆体的耗电量。
尔必达将继续发展DRAM所培育的微细加工制程技术等，积极推动将来有期望替代DRAM机能的次世代记忆体ReRAM的开发进程。
ReRAM（Resistance Random Access Memory）为采用可通过施加电压使其电阻值发生变化的材料为元件的次世代半导体记忆体。为即便关闭本记忆体的电源亦可维持资料记忆的非挥发性的新型记忆体，最大的特点在于可高速进行资料的读/写且低耗电。与其对比，虽然DRAM在资料的读/写速度及次数等方面比现存的非挥发性记忆体优越，但具有一旦关闭电源则资料消失的特性（挥发性）。另一方面，作为非挥发性记忆体的代表性产品的NAND快闪记忆体，虽然关闭电源亦可保持资料，但在性能方面不如DRAM。而ReRAM正是兼具这两种产品之优点的半导体记忆体。ReRAM的改写速度为10ns（纳秒、※注3），具备与DRAM同等的速度，同时改写次数在100万次以上，实现了NAND快闪记忆体之10倍以上的耐久性能。
今后将加快开发进程，努力在2013年实现采用30nm制程且容量为G（Giga、※注4）位级的ReRAM量产目标。与NAND快闪记忆体等现存的非挥发性记忆体相比，如能以低成本提供高速且改写次数多的新型记忆体，则可大幅度削减装载在智慧型手机、平板设备、超薄型轻量笔记型电脑等各种资讯设备上的存储装置（记录媒体）用记忆体的耗电量。
尔必达将继续发展DRAM所培育的微细加工制程技术等，积极推动将来有期望替代DRAM机能的次世代记忆体ReRAM的开发进程。
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