- 易迪拓培训,专注于微波、射频、天线设计工程师的培养
集邦:2012年DRAM市场发展有重大变革
录入：edatop.com 点击：
根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门 DRAMeXchange 的调查， 2012年1月上旬 DRAM 合约价仍以持平价位开出， DDR3 4GB均价固守16.5美元， DDR3 2GB均价则维持在9.25美元，但整体成交量已从低价区渐渐转向平均价格移动。
除了减产效应于第一季正式发酵，目前合约价格仍属历史低价，部份 PC OEM 厂已缓步拉高库存水位，并开始接受较高价格的合约价；加上硬碟短缺问题在第一季陆续获得纾解，PC出货将在2月后将回复正常。集邦科技认为，只要DRAM厂不要因短期颗粒价格上涨而贸进将产能恢复，预估今年DRAM价格在2月后起涨可能性高。
在现货市场方面，虽然 DDR3 2Gb现货价格自 2011年12月初0.72美元起涨至今来到0.97美元，不光颗粒价格逼近金1美元价位，涨幅亦高达35%，但现货市场规模逐渐萎缩却是不争的事实，其中不外乎笔电已搭载足量的记忆体，近几年升级市场的衰退亦是其中主因，现货市场产值从早期2004年约囊括整体 DRAM 市场的50%，大幅衰退至2011年的15%左右。平心而论，现货价格对于DRAM市场仍具影响力，对于合约价格上涨也有一定助力。
综观整体DRAM市场的获利关键，几乎都是来自于产能的扩充与制程不断的再精进，集邦科技表示，从早期的90nm、65nm制程至今已来到30nm、甚至20nm制程，制程的微缩虽使成本持续下降，但同时伴随着是颗粒数的高成长，加上近年PC出货年成长大幅趋缓，记忆体搭载容量亦失成长动能，DRAM产业因需求力道不再强劲，获利难度越来越高。
集邦科技预估，2012年DRAM市场的发展将会产生重大的变革；首先，DRAM产能的扩充将渐趋理性，加上转进20nm难度极高、且需要高额的资本支出购买 EUV 等先进机台，即使龙头三星半导体(Samsung)亦不得不在制程精进上放慢脚步。因此集邦科技预估，今年整体DRAM的年供给位元成长率仅有22%，较前数年动辄50%的年成长已大幅趋缓。
不幸的是，供给位元的减缓并不足以代表整体DRAM产业供过于求的颓势获得即时纾解，而是代表各DRAM厂获利的关键必须转向核心技术开发能力再作竞争，例如随着智慧型手机与平板电脑的兴起，带动行动式记忆体的需求，如已在2011年第四季成为行动式记忆体出货主流LPDDR2，或者是2012下半年即将量产的LPDDR3，甚至是Wide-IO与LPDDR4，能够拥有核心技术的DRAM厂便是获利赢家。
同时，云端需求的兴起亦使原本深耕于伺服器记忆体的DRAM厂获益，DDR3的4Gb-Mono颗粒成为另一个获利指标。集邦科技表示，甚至在标准型DRAM上，今年亦有许多产品以DDR3为基础上再进化，如着眼于 Ultrabook 的兴起，为了精进省电效能以延长使用时效，厂商已开发出低电压版的DDR3L，在省电机制的强化上亦发展出DDR3M的产品，甚至有厂商有考虑将GDDR导入标准型记忆体中，在绘图上与游戏上可以有比标准型记忆体更佳的表现。
集邦科技预期， DRAM 厂在后续的获利竞赛仍有一番激烈竞逐，落后者势必逐渐将产能退出，唯拥有核心技术力的DRAM厂才有机会在后续市场中持续获利与生存。
上一篇：智慧机与平板出货量增加带动2012年利基型DRAM需求依然强劲
下一篇：尔必达成功开发出新型记忆体--ReRAM
