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海力士并入SK集团 积极布局投资与技术研发

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    综合外电 海力士半导体(Hynix)从2012年开始交由SK集团负责经营,新年新目标是成为「全球最高水准的半导体公司」。
    2011年半导体景气欠佳,不过比起其他竞争对手,海力士拥有较为先进的技术开发能力和产品组合,因此安然度过。海力士进一步研发新世代制品磁阻式随机存取记忆体(Magnetic RAM;MRAM),在与美国晶片技术专利公司Rambus的专利权纠纷和反托拉斯诉讼上都取得有利位置,减少经营上的困难。现在又得到SK集团的强大后援支持,让海力士的未来局势看好。
    海力士社长权五哲表示,半导体产业的市场现况越不佳,就更要为未来进行准备,所以2012年海力士会将重点放在扩大投资和研发技术上,尤其会将投资比重放在近年急速成长的NAND Flash领域。
     2012年海力士打算持续提升核心领域的DRAM和NAND Flash的技术,并打算以20奈米DRAM和20奈米NAND Flash量产计划,在业界中取得先发地位,尤其会集中火力在提高行动通讯领域产品的竞争力上。
    从2011年海力士已经开始量产30奈米制程的DRAM产品,大幅提升整体产能效率,预计2012年第1季海力士的30奈米DRAM生产比重即可过半。20奈米制品应可在第1季投入量产,201! 2年内将逐步提高产能比重,可望与30奈米产量相当。
    在NAND Flash部分,海力士位在南韩淸州的M12产线稼动后,可望进一步扩大海力士的事业规模,新世代10奈米产品也按照原订计划正在进行研发。此外,海力士还推出eNAND、SSD等多种应用复合式产品,努力强化解决方案研发作业,并预计在2012年投入高达4.2兆韩元(约37.34亿美元)的投资金额,其中储存型快闪记忆体的投资比重提高到55%,其余金额= DRAM和其他事业均分。
    海力士亦积极网罗优秀人才,架构具有高度完整体制的教育训练课程,以便全面投入设备、未来技术开发战争。尤其自2012年开始,海力士已经正式成为SK集团的一员,未来将拥有稳定的组织作后援,利用SK集团强大的企业形象,势必可以吸引更多优秀的技术研发人才。

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