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2020年之前闪存将成为存储领域的“王者”

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艾利·哈拉里（由本刊在获得ISSCC 2012秘书处许可后拍摄）（点击放大）

闪存将成为存储领域的“王者”（点击放大）
　　全球最大的半导体电路国际会议“ISSCC 2012”于2012年2月20日（周一）在美国旧金山开幕。在主题演讲中美国晟碟（SanDisk）公司创始人、前CEO兼董事长艾利·哈拉里（Eli Harari）率先登台亮相，他以“Flash Memory—The Great Disruptor！”为题发表了演讲。
　　哈拉里在任期间一直专注于闪存领域，通过迅速削减成本，闪存陆续取代了现有的存储介质。哈拉里此次演讲题目中的Disruptor包含“破坏者”的意思。实际上，闪存“在从1991年到2012年的约20年内，将成本削减至1/50000，夺得了卤化银胶片、软盘、磁带、光盘和硬盘市场”（哈拉里）。
　　闪存以破竹之势迅猛发展，而支撑其降低成本的制造技术微细化的发展前景却并不明朗。哈拉里指出，目前的最尖端品采用19nm工艺前后的制造技术，而今后要想微细化至10nm工艺，就必须解决以下课题：浮游栅中能够存在的电子数量越来越少、隧道绝缘膜厚度要降至7nm以下、使用EUV曝光、需要投入100亿美元资金的投资回报（ROI）问题等。关于解决这些课题的方法，哈拉里提到了向市场投放在系统侧进行辅助从而放宽了标准的NAND闪存，以及使三维（3D）单元积层构造的可变电阻式存储器（ReRAM）实用化等。哈拉里表示，3D-ReRAM“可能会打破现有的竞争关系”。
　　哈拉里指出，投放这些使能技术（Enabling Technology）后，闪存的发展将会势不可挡（Unstoppable）。而且，今后会不断侵食其他存储介质。比如侵食DRAM。哈拉里预测，“截至目前，NAND闪存的成本已经降至DRAM的1/10左右。今后这个差距也无法消除。设备厂商不能忽视这个差距。目前的NAND闪存架构已优化至串行访问（Serial Access），2020年前后将出现采用新型架构的NAND闪存。新型NAND闪存将配置在微处理器的旁边，与DRAM共存”。另外，关于与硬盘之间的竞争，哈拉里表示“客户端基本上由闪存独霸一方，目前闪存正在不断地进军服务器领域。单从之前的发展趋势来看，闪存处于有利地位。最终会胜过硬盘”。
　　哈拉里在结论中表示，“闪存市场的增长幅度将超出各位的预期。2020年之前闪存在市场规模上将成为存储领域的‘王者’。