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2012年智能手机用DRAM能否成为主流？

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此次发布的LPDDR3的4Gbit产品（点击放大）

此次开发的DRAM架构（点击放大）
　　“用于智能手机的DRAM今年或将成为主流”。韩国三星电子在“ISSCC 2012”上发布了新一代低耗电量DRAM——LPDDR3 SDRAM（演讲序号：2.4）。新产品为采用30nm工艺的4Gbit产品，电源电压为1.2V，每端子的最大数据传输速度为1.6Gbit/秒。总线宽度为32bit，因此芯片整体的最大数据传输速度为6.4GB/秒。LPDDR3产品此次是首次在ISSCC上发布。
　　目前智能手机配备的LPDDR2每端子的最大数据传输速度为800Mbit/秒，芯片整体的最大数据传输速度（总线宽度为32bit时）为3.2GB/秒。电源电压为1.2V。也就是说，此次的LPDDR3在电源电压没变的情况下，将每端子的传输速度提高到了LPDDR2的2倍。
　　此次发布的4Gbit LPDDR3产品的芯片面积为82mm2。与LPDDR2产品具有向后兼容性。采用8 Bank构成，进行8bit预取。为提高速度，将内部数据总线宽度扩大至LPDDR2的2倍。为改善信号完整性，在裸片上集成了终端（片内终结器：on die termination，ODT）。
　　据三星介绍，为了玩三维游戏和观看高清视频等，对移动DRAM的高速化需求日益高涨。而另一方面，由于功率预算（power budget）有限，因此耗电量不能增加。作为兼顾高速化和低耗电量化的方法，该公司考虑了与目前的LPDDR2相比大幅提高每端子传输速度的方法，以及大幅增加端子数的方法。前者就是导入串行IO，而后者是导入双通道应用和Wide IO规格。关于串行IO，三星称其电力效率不如LPDDR2。而Wide IO由于难以进行故障分析（SiP建模），而且积层成品率较低，可能会使成本升高。综合上述几个方面，“LPDDR3成了最有力的候选”（三星）。