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三星、海力士年底拟推DDR 4新产品
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据南韩电子新闻报导，三星电子(Samsung Electronics)和海力士半导体(Hynix) 2012年底将会投入次世代记忆体DDR 4量产，领先全球记忆体市场。三星、海力士等近来在美国旧金山国际固态电路会议(ISSCC)上展示了30奈米等级DDR 4的试制品。
两大韩厂推出的试制品是以30奈米等级微细制程研发，2012年底则计划采用20奈米等级制程投入量产。
DDR 4 DRAM较目前市场上的主要产品DDR 3耗电量低，且资讯传输速度约提升2倍，微次世代DRAM规格。而两大韩厂推出的试制品采用了联合电子装置工程协会(JEDEC)规格。全球记忆体晶片业者中，目前仅三星和海力士研发出DDR 4试制品，未来DDR 4的标准化作业主导权，可能也会落到三星及海力士手上。
三星推出的DDR 4记忆体在1.2伏特(V)电压下可驱动2,133MHz，而海力士的产品在同样的电压下，可驱动2,400MHz。相较于两大韩厂的试制品在1.5V下驱动的DDR 3记忆体相比，耗电量减少了40~50%。
三星及海力士内部人员透露，瞄准高规格电脑或超小型伺服器市场，2012年底将会采用20奈米等级制程量产DDR 4产品。
海力士行销本部长金知范指出，海力士研发的DDR 4试制品可满足环保、低耗电、高性! 能等特性。除现有的电脑及伺服器市场外，也将会针对快速成长的平板电脑(Tablet PC)市场提出具高附加价值的= 决方案。
根据市调机构iSuppli统计，整体DRAM晶片中，DDR 4比重在2013年将会达到1%，至2015年可望突破45%，成为市场主要产品。此外，DDR 3产品比重在2011年时为72%，达到最高值后将持续降低，2015年将会减少至15%。
两大韩厂推出的试制品是以30奈米等级微细制程研发，2012年底则计划采用20奈米等级制程投入量产。
DDR 4 DRAM较目前市场上的主要产品DDR 3耗电量低，且资讯传输速度约提升2倍，微次世代DRAM规格。而两大韩厂推出的试制品采用了联合电子装置工程协会(JEDEC)规格。全球记忆体晶片业者中，目前仅三星和海力士研发出DDR 4试制品，未来DDR 4的标准化作业主导权，可能也会落到三星及海力士手上。
三星推出的DDR 4记忆体在1.2伏特(V)电压下可驱动2,133MHz，而海力士的产品在同样的电压下，可驱动2,400MHz。相较于两大韩厂的试制品在1.5V下驱动的DDR 3记忆体相比，耗电量减少了40~50%。
三星及海力士内部人员透露，瞄准高规格电脑或超小型伺服器市场，2012年底将会采用20奈米等级制程量产DDR 4产品。
海力士行销本部长金知范指出，海力士研发的DDR 4试制品可满足环保、低耗电、高性! 能等特性。除现有的电脑及伺服器市场外，也将会针对快速成长的平板电脑(Tablet PC)市场提出具高附加价值的= 决方案。
根据市调机构iSuppli统计，整体DRAM晶片中，DDR 4比重在2013年将会达到1%，至2015年可望突破45%，成为市场主要产品。此外，DDR 3产品比重在2011年时为72%，达到最高值后将持续降低，2015年将会减少至15%。
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