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海力士看好存储器价格反弹
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韩国存储器大厂海力士(Hynix)对DRAM及NAND Flash产业后市，发表脱离谷底的看法，对于台系DRAM厂而言，可望注入强心针。在硅晶圆部分，海力士与台厂目前都有1~2个月不等库存，短期仍可支应生产，但中长线来看，日本地震造成硅晶圆短缺问题仍待厘清，目前市场买盘多是边走边看，没有一窝蜂抢货，但也会担心日后供给吃紧造成涨价问题。
日本地震过后，各家DRAM厂都纷纷调高售价，市场买盘强度中等，并未出现一窝蜂抢货情况，原本供过于求严重的DRAM产业，各业者都认为DRAM售价会逐渐触底反弹，美光(Micron)执行长Steve Appleton日前也出面表示，看好3~5月的DRAM报价将落底反弹，而30日海力士社长权五哲也呼应表示，存储器价格会逐渐落底反弹。
硅晶圆方面，海力士认为目前库存还维持约45天，短期内不会受到影响；台厂认为，目前各家库存都维持1~2个月水平，短期内尚不成问题，但中长期来看，没有一家业者敢挂保证长期确定会供货无虑，因为2大硅晶圆厂都还为宣布完全复工，因此真正的供货压力会在5月之后浮现。
台系DRAM厂中，南亚科和华亚科主要依赖台塑集团和Sumco合资的台胜科供应硅晶圆，供货上较为安全，而在尔必达(Elpida)阵营中，主要依赖这次受日本强震影响严重的信越半导体，加上是采用高阶制程用的EPI Wafer，目前也找其它硅晶圆供应商支持。
虽然受到日本地震干扰，但三星电子(Samsung Electronics)和海力士在制程微缩进度上都持续往前，三星2011年下半30纳米制程会占超过50%比重，海力士也表示2011年底30纳米制程比重会提升至40%，2家公司也将开始持续研发20纳米制程，预计20纳米制程会在2012年问世量产。
台厂在制程微缩进度上，相较三星等大厂会晚一些，2011年中开始，会陆续导入30纳米制程，其中南亚科和华亚科会和美光(Micron)共同转进37纳米制程，尔必达和瑞晶2011年也会陆续到入30纳米制程，进一步驱动成本下降。
业者认为，这次日本强震后，虽然各厂都受到硅晶圆和化学材料供应不顺影响，但相较之下，其实韩系存储器厂受到影响较小，台湾则因为与日系业者联系度较高，因此多少会受影响；日前海力士即表示，可趁此机会逐渐提升全球市存储器的市占率。
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