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尔必达推出采用30nm工艺的4Gbit“Mobile RAM”
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尔必达存储器宣布，作为适用于智能手机和平板终端等移动产品的“Mobile RAM”新产品，该公司开发出了DDR2标准的4Gbit产品。该公司介绍说新产品采用30nmCMOS工艺，实现了“全球最小级别”的芯片面积、1.2V的低工作电压以及1066Mbps的高速数据传输。预定2011年4月内开始样品供货，2011年6月开始量产。
随着智能手机和平板终端性能的提高，配备的DRAM要求实现大容量化和高速化。尔必达表示，容量方面，高端智能手机要求8Gbit、平板终端要求16Gbit的大容量DRAM。而且，还需要将这种大容量集成在移动产品允许的封装面积内。同样，还需要兼顾高速化和低功耗化。
为了满足上述需求，此次的DRAM兼顾了大容量和省空间以及高速和低耗电。关于前者，4Gbit产品实现了全球最小级别的芯片面积，而且还准备了可以配备8Gbit和16Gbit产品的省空间型封装。供货形态除了FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）封装外，还备有PoP（Package on Package）以及MCP（Multichip Module）裸芯片。集成了两个4Gbit芯片的8Gbit产品，将封装厚度减至最小0.8mm。关于后者，新产品实现了1066Mbps的高速数据传输速度，同时与采用该公司两个40nm工艺2Gbit DRAM时相比，将工作电流削减了30％左右。首先将在广岛工厂开始量产新产品，之后台湾瑞晶电子（Rexchip Electronics）也将开始量产，以确保产品的稳定供应。
