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华邦电子导入新一代512Mb LPDRAM行动内存
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华邦电子(Windbond)以65奈米 Buried World Line 制程，推出四款512Mbit的行动内存，使行动内存除了移动电话产品应用领域之外，更扩展至手持消费性及行动数据通讯等市场，并有助于使其应用产品市场更加完备。
W989D6C 与 W989D2C 为 512Mb mobile LPSDR 行动内存，分别支持 x16 及 x32 数据宽度。主要功能为 Sequential 或 Interleave burst、166MHz 工作频率、标准的 Self Refresh Mode、具省电目的的Partial-Array Self Refresh (PASR)、以及Automatic Temperature Compensated Self Refresh (ATCSR)、Deep Power-Down (DPD)、可程序 output buffer driver strength 。适用于手持多媒体播放器、电子书阅读器、车用产品、手持消费性电子产品、掌上型游戏机与其他手持装置。
W949D6C 与 W949D2C 为 512Mb mobile LPDDR 行动内存，分别支持 x16 及 x32 数据宽度。主要可提供双倍率数据、Sequential 或 Interleave burst、166MHz 工作频率、标准的 Self Refresh Mode、省电的PASR及ATC SR、DPD、可程序 output buffer driver strength。适用于手持多媒体播放器、电子书阅读器、移动电话、3.5G/4G行动数据卡、车用产品、手持消费性电子产品、掌上型游戏机与其他手持装置。
华邦电子将持续开发 46奈米制程，未来将用于生产更新世代行动内存。所有产品的样品皆自2011年三月开始提供，四月开始供货。
