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瑞晶成功试产尔必达30nm 3Gb DDR3芯片
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台湾瑞晶电子公司宣布成功试产了尔必达的30nm制程2Gb密度DDR3内存芯片产品，这次试产尔必达30nm制程产品的结果达到了公司预期的期望值，瑞晶并称公司将按计划进行制程的切换工作。新的2Gb DDR3内存芯片采用的是尔必达开发的30nm制程技术制作，这种制程功耗低且产出效率高.相比采用40nm制程制作的芯片，每片晶圆可多产出45%数量的芯片。
这种30nm制程2Gb密度DDR3芯片可满足DDR3-1600标准，工作电压1.35V，可兼容DDR3+标准（seamless BL4 access：可以提升突发长度为4时的芯片突发读写操作的效率）,应用在消费电子类产品上后可提升产品的整体性能。
瑞晶的发言人表示：“我们希望今年下半年能完成转向尔必达30nm制程的工作，届时的月产能可达8.5万片晶圆，我们将生产2Gb/4Gb两种密度规格的30nm DDR3内存芯片。”
瑞晶是尔必达在台湾的子公司。
