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SanDisk携东芝推19奈米记忆晶片 下半年量产

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全球快闪记忆体大厂SanDisk(NASDAQ: SNDK)今日宣布推出以19奈米记忆体制程技术之64GB x2 (2-bits-per-cell )记忆体晶片,预计今年下半年量产,而这项最新的技术将有助SanDisk日后针对手机、平板电脑与其他装置,推出兼具高容量与小尺寸的嵌入式可抽取储存装置。

日本311东北强震不影响NAND Flash厂持续投入先进制程的脚步,东芝与SanDisk携手合作,迈入19奈米世代。SanDisk执行副总裁暨技术长Yoram Cedar表示,预计本季将此19奈米64GB X2晶片送样,并自2011年下半年开始量产,同时也会将推出19奈米X3 (3-bits-per-cell)晶片。

Yoram Cedar指出,与东芝(Toshiba)的持续合作下,领先业界推出这款采用19奈米制程技术,且尺寸最小、成本最低的NAND flash晶片,此成果主要针对日后更创新的应用、尺寸和消费者使用经验所设计,预计也将持续推升快闪记忆体的产业发展至更高的境界。

Yoram Cedar也强调,SanDisk拥有专利All-Bit-Line (ABL) 架构,和多层资料储存管理方案,有助于生产多层电路元(Multi-level Cell, MLC) NAND flash晶片,而无需担心其效能或稳定度。

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