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法国研究人员指明未来10年MRAM发展方向
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“继自旋注入磁化反转方式之后，利用电场来改变MRAM等的自旋方向的控制技术很有可能将成为主流。估计将在2015～2020年达到实用化”。法国基础电子学研究所（Institut d'Electronique Fondamentale）的D. Ravelosona出席了正于美国亚利桑那州斯科茨代尔举行的磁技术相关国际会议“56th MMM”的特邀演讲，并做了上述发言。演讲题目是“Toward ultra low power spintronics nanodevices with perpendicular anisotropy”。
Ravelosona指出，纳米电子的发展重点在过去10年是“如何减小元件尺寸”，而今后10年将是“如何降低耗电量”。包括MRAM及非易失性逻辑在内的自旋电子学也将沿着这个方向推进技术开发。其中一大方向就是本文开篇所述内容。比如，已达到实用化的MRAM将利用外部磁场来改变MTJ元件自由层的磁化方向。现在为取代DRAM等，国内外知名存储器厂商等正在研究利用自旋极化电流的自旋注入磁化反转方式MRAM。
据Ravelosona介绍，能比自旋注入磁化反转方式大幅降低耗电量的，是基于加载电场的磁化反转技术。在通过加载电场改变磁各向异性的磁化方向控制技术方面，日本东北大学等研究机构正在积极推进研究。日本东北大学的大野英男教授（节能及自旋电子学集成系统中心主任）在接受《日经电子》采访时指出该技术具有很大的潜力：“如果仅利用电场就能改变自旋方向，那么可将非易失性存储器的开关能量降低2～3个数量级”。
