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已纳入三星集团的Grandis开发出新型MTJ
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MRAM技术开发商美国Grandis开发出了名为“UT-DMTJ”（Ultra Thin-Dual MTJ）的新型MTJ元件。采用面内磁化方式。该产品已在美国亚利桑那州斯科茨代尔举行的磁技术相关国际会议“56th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials（MMM）”上发布。
UT-DMTJ采用的构造在反向磁化的参考层中间夹有自由层。据该公司介绍，UT-DMTJ无需固定固定层磁化方向的反强磁性层，而这是多层铁氧体结构的固定层中间夹有自由层的双MTJ构造所必须的。因此，MTJ元件的厚度得以减至约10nm。由于MTJ的厚度减小，蚀刻更加轻松，且可以不用原双MTJ构造所不可或缺的Ru，因此容易降低制造成本。UT-DMTJ元件的实验结果表明，MR比为107％，开关时的电流密度为1.15×106A/cm2。元件尺寸为70×250nm2。
Grandis公司利用54nm的DRAM工艺试制出了嵌有UT-DMTJ元件的64Mb STT-MRAM。该公司公布了单位比特写入电流的偏差数据，指出新型MTJ比原来的MTJ元件大幅减少了偏差。存储单元面积为14F2（F为最小加工尺寸）。
此次Grandis公司采用的是面内磁化方式的MTJ元件。而开发STT-MRAM的厂家大多采用的是有望进一步增大容量的垂直磁化方式MTJ元件。“采用面内磁化方式，容量最多增至1Gb左右。制造技术工艺很难只停留在4Xnm前后”（知名存储器厂家的MRAM技术人员）。因此，Grandis公司有可能主要针对1Gb以下的容量，推进此次的技术开发。
Grandis公司宣布，其已于2011年8月被韩国三星电子收购。Grandis公司拥有很多有关STT-MRAM的基本专利，估计三星对其专利群感兴趣，所以才出手收购Grandis公司.
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