恒忆新RAM为相变存储器提供无缝架构途径

2008 年 7 月 29 日，存储巨头恒忆 (Numonyx)宣布推出 Velocity LP^TM NV-RAM 产品系列，此系列是业界最快速的低功耗双倍数据传输速率 (LPDDR) 非挥发性存储器，不但可以给手机和消费性电子产品厂商提供更高的存储性能，而且比目前其他解决方案价格更低。这些装置在提供高动态随机存储器（DRAM）内容平台低成本解决方案的同时，还可达到比传统NOR Flash存储器快两到三倍读取频宽的性能。恒忆 Velocity LP NV-RAM 系列的推出为该公司未来相变存储器 (PCM) 产品提供了无缝的绝佳架构途径。

无线电话中的数字图像、影像、游戏及其他应用程序都对存储器提出了更高要求，为满足这些要求，大多数的手机制造商会采用结合如NOR、NAND等非挥发性存储器以及成本低廉的RAM技术。其中由于各种存储器类型需要不同的硬件和软件接口，经常迫使设计人员在存储系统性能与支持更多接口之间得做出妥协，因而提高系统成本。

恒忆Velocity LP NV-RAM将系统中不同的存储器的特性结合在一个广为接受LPDDR 接口上，有助于简化系统架构、提升速度并降低成本。由于此非挥发性存储器也具有执行功能，因此设计人员可以 RAM的 速度读取数字内容，并降低系统的 LP RAM 需求以减少存储系统成本，此接口同时可协助系统设计人员使用相同架构来扩充存储系统，以支持从低端到高端的各种电话。

恒忆无线通讯产品事业部副总裁暨总经理 Marco Dallabora 表示，凭借恒忆在无线非挥发存储器市场的领先地位，恒忆Velocity LP NV-RAM 采用业经验证的 65纳米非挥发存储器技术，率先推出 LPDDR-NVM 接口。恒忆的目标是协助 OEM 推出符合成本效益的高性能手机，并开始针对无线市场推出基于 PCM 的器件。

恒忆Velocity LP NV-RAM 系列与 2007 年 11 月所发布的 JEDEC 低功耗双倍数据传输速率 (LPDDR) NVM 标准兼容。恒忆将持续推出新产品来迎合产业未来新一代接口标准，此次开发的产品是推出更快速非挥发性存储器的第一步，并借此降低移动平台加载额外 RAM 的需求。

在研发Velocity LP NV-RAM 系列产品过程中，恒忆便积极与产业链及客户合作，预期LPDDR NV-RAM 解决方案将在 2009 年面市。ARM 处理器部门营运暨光纤 IP 副总裁 Keith Clarke 表示，LPDDR-NVM 接口具有显著优势，使开发人员得以实现ARM*架构的移动应用。ARM与恒忆密切合作，使AMBA* 3 AXI* 型 ARM PrimeCell* PL340 动态存储控制器能够搭配恒忆Velocity LP NV-RAM 解决方案，主要合作伙伴目前也已经顺利采用此款产品。

以软件与封装提高价值

除了提供创新的 NVM 硅产品外，恒忆也提供创新的软件解决方案。它所推出的高级 XIP 文件系统 (AXFS，Advanced XIP File System)让软件设计人员和架构人员能够运用单一文件系统，支持 NV-RAM、NOR、NAND 和 RAM 技术，以及日后的 PCM 型产品。AXFS 软件可压缩未使用的代码页，协助设计人员得以在特定密度下多获得 50%的储存量，并最优化设计过程中的系统层级效能与成本，同时减少 RAM 需求以降低系统功耗。 

通过创新的封装技术，恒忆运用单一的封装层迭（package-on-package）解决方案提升共享 RAM 和 Velocity LP NV-RAM的优势，设计人员可结合处理器推出高性能而低成本的存储解决方案。在同一总线安装 RAM 和 Velocity LP NV-RAM，恒忆使存储器能够相互堆栈，节省电路板的实体空间或「存储体积」