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Microsemi开发下一代高电压、高功率射频器件
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全面的开发指南帮助解决设计难题并加快高性能、低成本射频系统的开发速度
致力于提供强效、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC)日前发布用于开发下一代高电压大功率系统的设计指南，这些系统以公司独有的数字射频(digital radio frequency, DRF)系列混合模块为基础，广泛应用于半导体加工、LCD玻璃涂层、太阳能电池生产、光学器件及建筑玻璃涂层、有害气体处理、CO2激光激发、MRI RF放大器、RF手术刀和感应加热等系统中。
这些模块将RF驱动IC和功率MOSFET集成在单一高性能封装中，能够以高达40 MHz的频率发送1 ~ 3kW功率。设计指南还为系统开发人员提供了包括元器件选择、匹配网络设计、优化输出功率、效率最大化、散热设计等各种RF设计技巧，并针对构建完整的RF发生器所需的电路拓扑提供具体建议。
美高森美MOSRF产品部营销总监Glenn Wright表示：“我们的DRF系列产品同传统的低压RF系统相比具有更加突出的技术优势。这些优势体现在能够解决复杂的设计难题，减小系统体积、提高功率密度和可靠性，并降低总体系统成本，适合各种工业、科学和医学方面的应用。”
美高森美DRF产品系列将最多两个RF驱动器IC、两个功率MOSFET及相关的退耦电容集成在单一封装中。驱动器IC和MOSFET紧密接近，极大的降低了电路电感，同时可提供比分立元件解决方案更高的系统性能，以及实现多种电路配置和系统拓扑。该模块专为提供连续的功率、 Class D和E与脉冲功率应用而设计，仅需5V逻辑电平输入信号，即可发射高达3kW的RF功率。新模块采用美高森美独特的无法兰封装技术，成本比传统替代解决方案更低，而且进一步改善系统性能。
美高森美现提供DRF产品系列的设计指南和其它开发工具和技术支持服务，包括SPICE模型，参考设计工具套件和应用说明。
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