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SiGe推出基于硅技术的集成式WiFi?前端IC
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全球最大、最成功的基于硅技术的射频(RF)前端解决方案供应商SiGe半导体公司(SiGe Semiconductor)扩展其全面广泛的产品系列，推出RF开关/LNA 前端IC (FEIC)产品SE2601T。新器件专门为提高嵌入式应用中融合型蓝牙/WiFi芯片组的性能和功能性而设计，能够满足新一代智能电话、上网本、个人媒体播放器和数码相机对融合多种连接能力(如WiFi?和蓝牙?)不断增长的需求。
SiGe半导体亚太区市场推广总监高国洪评论新产品时称：“我们推出的SE2601T产品，为客户提供了整合单刀三掷(SP3T) RF开关和WiFi?接收路径低噪声放大器(LNA)的单芯片解决方案。SE2601T集成在设备母板上或模块化解决方案中的多种分立功能，减少了电路板占位面积，并为今天之功能丰富的酷炫移动设备的设计人员提供了重要的优势。”
SiGe半导体开发SE2601T，旨在使用集成式CMOS功率放大器(PA)来增强蓝牙?/WiFi?芯片组解决方案的性能和功能性。
SE2601T充分利用了基于硅技术的RF解决方案的性能和功能集成优势。该器件通过在天线和RF接收器之间，放置广被CSR、Marvell、Broadcom 和 Atheros等领先供应商的芯片组使用的高性能LNA，来扩大WiFi?解决方案的连接范围。对于智能电话等嵌入式应用设备，由于WiFi?解决方案的实体空间限制，LNA功能每每因而被删减，从而导致连接性能劣化。另外，有鉴于嵌入式应用设备因使用小尺寸天线而影响信号质量，LNA器件能够显著提高至关重要的WiFi?接收系统的灵敏度。RF开关(支持蓝牙?和802.11bgn功能之间的天线共享)通常是一个分立器件，需要额外的无源器件，因而占位空间多于集成式2601T解决方案。因此，SE2601T可大大减少为了增强WiFi?性能所需的占位面积，同时支持蓝牙?和WiFi?功能的天线共享。
从竞争角度来看，SE2601T通过采用基于硅技术的IC工艺集成了所需的DC阻隔电容，而基于砷化镓(GaA) 的竞争产品却需要外部电容，故占用了更多的电路板空间，并增加了WiFi?解决方案的材料清单成本。
SE2601T是SiGe基于硅技术的RF开关/LNA产品系列的一员，采用2x2mm QFN封装，也是SiGe半导体最近发布的SE2600S芯片级封装(CSP) FEIC的同类型产品。二者的分别在于SE2600S是专为模块供应商而设计的，而SE2601T则是最适合直接用于嵌入式设备母板的产品。
高国洪总结道：“SE2601T为客户设计提供了集成式解决方案，能够满足业界增长最快速之市场领域的某些需求。新产品具备缩短设计时间，最大限度减小占位面积，并减少所需元件数目的优势，因而成为在智能电话和其它嵌入式设备中实现融合型蓝牙?/ WiFi?功能的首选器件。”
SE2601T采用符合RoHS指令的无卤素、小引脚、2mm x 2mm x 0.6mm QFN封装。
