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关于FM发射机各位射频DX
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我看到有的GSM射频transceiver的13M晶振的TANK CIRCUIT直接做在外面,对其的AFC也是直接加在变化容积二极管上.而另一些射频transceiver的13M晶振电路集成进去了,只外接crystal就行了.
本人是做基带的,目前在看FM发射机,了解到其基本原理也是将调制信号加到VCO的TANK CIRCUIT的变容器件上.和GSM射频transceiver的AFC一样,部分IC是把TANK CIRCUIT及其变容器件都集成在了内部,而另一些厂家则将其用外围的分立器件实现.(载波70M-120MHZ)
请问我该选择哪种方式的IC好呢?
本人是做基带的,目前在看FM发射机,了解到其基本原理也是将调制信号加到VCO的TANK CIRCUIT的变容器件上.和GSM射频transceiver的AFC一样,部分IC是把TANK CIRCUIT及其变容器件都集成在了内部,而另一些厂家则将其用外围的分立器件实现.(载波70M-120MHZ)
请问我该选择哪种方式的IC好呢?
当然是集成度越高越好,可以试一下siliconlabs的4210(业界集成度最高的FM transmitter),
此外,台湾万宏和日本rohm都有FM transceiver产品
申明:网友回复良莠不齐,仅供参考。