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PHS的矢量过高那位大哥有什么高见急
矢量高与很多因素有关,请你要把情况说清楚。你做了哪些测试,得到的结果是什么。可以查查以下几点:PA供电、VCO是否受干扰
"VCO是否受干扰"的可能较小,因为PHS是单频的,多数是因VCO的输出给IF IC时,由于有多个输入端(一般是会有三路),匹配做的不好造成的,还有就是PA的输入匹配如果有加PRE-PA,也要调好其增益及工作点才行;PHS现在还有做到这份上的不是UT就是夏新了.
有两个比较常见的原因一个是主板上的一颗料打错了一个是标准放的大高PHSr
还有就是TCXO的供电滤波和其电压峰值过小也会引起,Vpp最好要>450mv
不好意思,写错了,Vpp最好牙哦>900mv
检查PA的滤波电容,钽电容的稳定性,一致性问题很可能引发问题
这种情况我遇到过.是vco,或者LDO的问题.
PHS EVM过高可能的原因个人以为如下:1,PA本身对EVM有一定的恶化作用,如果PA工作状态不对,如工作在饱和区或者近饱和区,这种恶化情况更明显,特别是Sony7001,其PA输出不可过大,同时尽量保证PA供电电源要干净。还有一种情况就是PA load pull特性不好同时PA输出匹配不好也会造成EVM恶化严重。2,第一、第二本振收到干扰。特别是分离器件搭起来的233.15MHz本振电路很容易收到干扰,特别是布线或者布局不合理时更是如此。我遇到的一个典型案例是将振荡电路的中的一绕线电感旋转90度即可解决问题的案例。你可以分析本振的phase noise,看其相对于正常手机是否明显恶化。3,时序。时序不好也对矢量误差影响很大,不多时序不好同时也会影响ACP和OBW。你自己可以判断一下。4,即使时序正确,PLL失效也会对EVM有很大的影响。5,IQ信号本身的质量。6,整个系统的地是否干净。7,本振地供电部分是否干净。
申明:网友回复良莠不齐,仅供参考。
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