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手机存储器最新设计方式与未来发展趋势[多图]
一.背景
随着彩色手机、照相手机的普及,手机上所附加的多媒体应用越来越多。在多媒体部分,一开始为彩色图像桌布、和弦铃声到相机拍照后的照片;在动态影音部分有JAVA游戏、影音短片(Video Clips)、影音串流(Video Streaming)…等,手机上的多媒体应用越来越多,使得储存这些影音档案的存储器需求也跟着越来越大。
以存储器在手机用半导体产值比重来看,在2005年,存储器约占整体手机晶片产值的18.3%,到了2008年,存储器占整体手机晶片产值成长至21.6%,为手机用半导体成长比例最高者。
而目前手机上的存储器朝向大容量、高速度、低耗能、低成本、小体积五大发展方向,对于手机而言,大容量、低成本、小体积三者更是重要,进一步的分析如下。
二、 手机用存储器发展趋势
1. 各类型存储器容量的推估
手机存储器容量的大小,与手机所提供的多媒体应用息息相关,若手机仅提供语音的功能,存储器仅需搭配1~2M Low Power SRAM+8M NOR Flash,随着SMS、MMS资料的增加,在Low Power SRAM及NOR Flash的容量上也逐渐扩大;彩色手机、照相手机,必须提供多媒体的储存,存储器的搭配则需要到16~32M Low Power SRAM+64~128M NOR Flash;而音乐手机、电视手机,在存储器的需求更高,除了在32~64M Low Power SRAM及128M~256M NOR Flash之外,还会再加入Pseudo SRAM及NAND Flash。
手机不同应用所需的存储器大小
Mobile Application Low Power SRAM NOR Flash
Voice 1M~2M 8M
Data (SMS) 4M~8M 16M
Data (MMS) 8M~16M 32M~64M
Still Photos 16M~32M 64M~128M
Moving Picture/Music 32M~64M+Pseudo SRAM 128M~256M+NAND Flash
2. 低成本的技术
在挥发性存储器上,Low Power SRAM为6个电晶体结构,体积大、成本高,尤其在高容量产品的单价过高;降低成本的方式为改采1个电晶体结构的Pseudo SRAM,此情况在16M容量以上的产品特别明显,由表二可以看出,Low Power SRAM与Pseudo SRAM在16M的产品单价差为6.62美元,在32M及64M(灰色部分),单价则扩大到11.39美元及40美元。
2005年挥发性存储器容量与单价比较表
FY2005 8M 16M 32M 64M 128M
Low Power SRAM 3.10 8.22 13.89 44.00 --
Pseudo SRAM -- 1.60 2.50 4.00 7.50
资料来源:Dataquest;
而非挥发性存储器上,则可透过制程的改进,降低存储器的成本,这可由存储器大厂如:Intel、Toshiba不断投入MLC(Multi-Level Cell)技术的开发,及Samsung由SLC(Single Level Cell)技术转做MLC技术看出。两者最大的不同在于,以SLC技术生产非挥发性存储器,每个Cell仅能存取1位元资料,而MLC技术,让每个 Cell可以储存2位元资料,因此,在相同硅制程技术下,生产相同容量的存储器,用MLC技术所生产的产品单价会来得比用SLC技术所生产的产品单价来得低。图一为SLC技术、MLC技术架构及资料存放示意图。
3. 小体积的技术:多晶片封装(Multi-Chip Packaging;MCP)
由上述的分析,手机多媒体的应用使得手机上存储器的需求逐渐扩大,但手机本身的设计趋向于轻薄短小,多晶片封装可以缩小手机上存储器的体积,达到节省空间的效果。
现阶段手机的多晶片封装是将NOR Flash及Low Power SRAM包裹在一起,预测2005年的主流为128M NOR Flash+16M Low Power SRAM,采用2层的多晶片封装;但随着彩色手机、照相手机的普及,在NAND Flash的需求也逐渐扩大,未来在多晶片封装将变成NOR Flash+Low Power SRAM+NAND Flash三层结构。
存储器多晶片封装,主要是节省存储器的大小,对于成本的影响不大,举例来说,128M NOR Flash的单价为4.89美元,16M Low Power SARM的单价为11.49美元,两者的多晶片封装约为16.38美元,相当于两颗存储器单价的加总,成本无法降低的主要原因是多晶片封装前,对于存储器的测试得更加严格,因为在多晶片封装里只要有一颗存储器出现问题,将导致整个多晶片封装的存储器损坏,后续的零件更换成本更高。
三、 结论
手机上越来越多的影音功能,刺激了手机存储器的需求,而手机存储器朝着大容量、高速度、低耗能、低成本、小体积发展,针对这五大方展方向,整理出手机存储器五大发展方向的概况。
手机用存储器的发展趋势
发展趋势 非挥发性存储器 挥发性存储器
大容量 NOR:128M→256M
NAND:1G→2G
LP SRAM:16M
PSRAM:128M
高速度 100ns→70ns 100ns→70ns
低耗能 3V→1.8V 3V→2V
低成本 MLC制程(Multi-Level Cell) 6个电晶体架构→1个电晶体架构
小体积 MCP:Flash+SRAM MCP:Flash+SRAM
资料来源:IEK整理(2005/05)
过去手机存储器必须储存手机开机时的韧体程式、程式码及暂存资料,存储器需求为NOR Flash及Low Power RAM,但随着彩色手机、照相手机的普及,手机多媒体应用的增加,使得手机开机时必须更快的读取更多东西,储存更多的影音档案,需要更多的暂存空间,因此NOR Flash的容量不断的增大、NAND Flash也开始以内建或外插卡的方式加入手机中、缓冲记体体的容量增大,使得Pseudo SRAM的需求逐渐侵蚀Low Power SRAM的市场。
而手机用存储器的发展趋势最重要的莫过于多晶片封装,多晶片封装可以减少手机里存储器的空间,符合手机轻薄短小的发展,但多晶片封装必须有稳定的存储器来源,对存储器品质要求也较高。