关于零中频的载波泄漏和本振泄漏

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我还是个初学者，想弱弱的问一下零中频的载波和本振其成份是不是一样的，只是一个是因为DC offset一个是因为LO和混频器的隔离度不够？跪请资深工程师解惑

我也是新手额，大概意思好像是这样的
零中频就是基带出来的低频调制信号（此调制非彼调制）经混频器与本振相乘，直接将低频信号搬移到载波，也就是载波和本振频率一样
DC offset形成应该是sin(wt) * sin(wt)产生的，由于本振和载波频率相同，器件隔离度或者其他耦合导致本振和载波、本振与载波等不同路径产生直流
具体的也不是很清楚了

查了资料我已经弄明白了，这几天看的有点多，自己把自己弄糊涂了

可参考这则帖子

看了你的资料已经弄明白了，这些天一直在看你的的资料，看的太快了，没消化，把自己都弄糊涂了，谢谢资深工程师

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。

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