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PA中间的大GND pad点焊接不良造成的影响
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如题，小弟在一个生产制造商工作，遇到一些在校准时出现fail的情况，有时候加热一下会好，做CT发现PA或者ASM之类的芯片中间公共GND焊接不饱满，想问问资深工程师们，GND接地不良对PA的影响有多大，有没有文献资料，小弟在此谢过
我这方面没经验，只是觉得是不是焊盘寄生电容的影响？频率多少啊
有可能有影响。这方面的文献估计没有。
等待资深工程师
PA肚子中间那块地主要是用来散热的，PA的die一般就在其正上方。如果焊接不良会导致上方PA die的结温快速上升，而结温增高又会带来饱和功率下降、噪声增大、记忆效应增加等问题。
这问题可以这样问
如果PA的中间那个GND Pad接地不良会怎样?
可参照这个帖子
感谢资深工程师指导非常感谢
学习了
学习
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学习啦
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。
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