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能否抢回iPhone6夺走的市场?安卓最强旗舰三星Galaxy S6详细评测

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  另外关于这个FinFET工艺技术,实际上并不是第一次出现,(FinField-EffectTransistor,FinFET)具体称之为鳍式场效晶体管,它是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管,因为晶体管的形状与鱼鳍的相似而得名。早在2011年初,英特尔公司就曾在 它22nm的芯片上使用FinFET工艺,成功量产和商业化。目前英特尔酷睿i7-3770之后的22nm处理器实际上都使用了FinFET技术。由于FinFET具有功耗低,面积小的优点,除了英特尔和三星外,台积电、联发科、海思都有计划推出自己的FinFET晶体管,但目前也只有三星成功量产。

  了解完三星Exynos 7420所使用的14nm FinFET工艺外,我们不妨来看看它的具体详情。这颗处理器同样是一款64位架构的八核平台。采用A57+A53的big.LITTLE架构,其中A57的最高频率将达到2.1GHz,A53部分则为1.5GHz,性能非常强劲。此外图形方面还集成Mali-T760 MP8,最高内存带宽可达25.6GB/s,这也是目前为止最强的移动图形处理器芯片。

  三星Exynos 7420芯片特性

  另外有不少媒体说明这颗处理器集成基带,实际上这并不正确。我们在和三星工作人员取得联系后得知,实际上Exynos 7420处理器并没有集成三星自己的基带,而是单独使用高通MDM系列的基带解决方案,而这也是国行版的三星Galaxy S6 edge会有全网通版本的原因。

  另外除了Exynos 7420芯片外,三星Galaxy S6/S6 edge在硬件上实际上还有两个亮点,分别是LPDDR4内存和UFS2.0技术。

  关于LPDDR4内存,这将会是今年的旗舰新标准。虽然之前小米Note率先宣布会使用4GB LPDDR4内存,不过对于小米的"期货"风格,相信短时间内不会面世。所以三星Galaxy S6将会是首款搭载LPDDR4内存的产品。在性能上新的LPDDR4将会比现有LPDDR3内存提升50%,可提供32Gbps的带宽(为LPDDR3的2倍),实际应用上会带来更高效的反应能力和启动速度。同时由于LPDDR4内 存的工作电压降低至1.1V,所以耗电量也会降低40%左右。

  三星Exynos 7420芯片特性

  另外LPDDR4实际上也并非是三星S6独有,目前高通骁龙810、三星Exynos 7420、英特尔Atom Z3500这三款处理器都能支持LPDDR4内存,而这三款处理器均是定位于高端市场之列,相信后续会有一大波产品使用该内存。

  另外一个则是UFS 2.0技术,它的是Universal Flash Storage(通用闪存芯片)缩写,是三星在S6前发布的标准芯片,支持"Command Queue"技术,可同时实现读取和写入操作,期间的电源管理也更高效。目前UFS 2.0的读写速度比当下旗舰手机所使用的eMMC 5.0快了3倍,理论传输速度甚至高达1.2GB/s,已经达到SSD标准(仅在128G版上测试,32GB/64GB会略慢些)。

  三星Exynos 7420芯片特性

  综合来看,三星Galaxy S6/S6 edge的硬件条件甚至已经可以称之为恐怖,大有横扫整个Android阵营的水准。既然它的理论数值如此优秀,那实际中的性能表现如何?对此我们也进行了测试。

  首先我们用安兔兔来测试下硬件的极限性能。从跑分中看到,三星Galaxy S6的安兔兔测试总成绩高达68879分,逼近7万。这个分数可以说是Android智能手机阵营里的新高度,已经远超出同级别的旗舰手机。虽然安兔兔跑分测试的是硬件的极限能力,但从中确实可以看到Exynos7420这颗芯片的过人之处。另外在和同级别的高通骁龙810芯片产品的对比中也足足提升了20%,硬件表现确实令人惊讶。

  三星Exynos 7420对比高通骁龙810

  既然说到和高通骁龙810芯片的对比,我们不妨来看看二者在具体得分上的详情。我们以HTC One M9为例,在二者的对比中可以看到,Exynos7420几乎是全盘领先,特别是在多任务、CPU整数和RAM运算方面大幅度超越,而这和14nm的处理器以及LPDDR4内存不无关系。所以在硬件的极限能力方面,Exynos 7420确实要超越高通骁龙810芯片。

  三星Exynos 7420对比高通骁龙810

  ▲HTC One M9(左)和三星Galaxy S6(右)安兔兔跑分对比

  而除了安兔兔外,我们还使用了多个软件对二者进行比较。另外由于三星Galaxy S6的竞争对手显然是iPhone 6,对此我们也加入了苹果A8处理器的数据,力求进一步还原三星Exynos 7420的真实能力。

  首先我们来看下,这三款芯片都是基于ARMv8-A的64位架构,其中三星Exynos 7420和高通骁龙810基本一致,都是A57+A53的big.LITTLE架构,处理器频率也基本一致。不过三星Galaxy S6在A57部分的最高频率为2.1GHz,而HTC One M9则为2.0GHz,至于A53部分则一样都是1.5GHz。至于苹果A8处理器,则是独特的双核1.4GHz处理器结构。

三款旗舰芯片基本资料对比
手机 三星Exynos 7420 高通骁龙810 苹果A8
制程工艺 14 nm FinFET 20 nm HPM 20 nm HKMG
架构 ARMv8-A 64位架构
结构 四核A57+四核A53 四核A57+四核A53 双核
频率 4x2.1GHz+4x1.5GHz 4x2.0GHz+4x1.5GHz 2x1.4GHz
图形处理器 Mali-T760 MP8 Adreno 430 PowerVR GX6450
图形频率 772MHz 650MHz 450MHz
内存类型 双通道LPDDR4 1600MHz 双通道LPDDR4 1600MHz 单通道 LPDDR3 1600MHz
内存带宽 25.6GB/s 25.6GB/s 12.8GB/s
浮点运算 209.44 GFlops 324 GFlops 115.2 GFlops
OpenGL ES 3.0 支持 支持 支持

  另外在图形和内存方面,三星GALAXY S6使用了目前最高端的Mali-T760MP8,而高通骁龙810同样使用了Adreno430,二者都是双通道的LPDDR4内存,并且实现了25.6GB/s的主流带宽。而苹果在图形方面则是强悍的GX6450,但内存方面则是单通道,并且带宽也仅为12.8GB/s,在如今略显不足。

  理论上的数值分析完后,我们通过实际测试来对比下三者的差异,分别采用的产品是三星Galaxy S6(Exynos 7420)、HTC One M9(高通骁龙810)和iPhone 6(苹果A8),由于测试环境和个体均差在差异化,故以下数据仅供参考。

  三星Exynos 7420对比高通骁龙810

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