魅族MX4 Pro深度评测：华为荣耀6 Plus如何超越

　　GFXBench MX4 Pro的MaliT628mp6性能基本和骁龙801持平，但游戏大幅落后，原因可能是在于Benchmark都是重shader负载，瓶颈并不在输出，但实际游戏shader负载并不像benchmark那么大，而在输出的Scan-out阶段出现瓶颈，因此MX4 Pro的硬件架构并不合适2K分辨率。虽然Mali T628MP6性能还不错，但过高的分辨率拖累了MX4 Pro的3D游戏表现，如果你是重度的3D游戏玩家(特别是经常玩那些Gameloft和EA那些所谓+大作的玩家)，那么MX4 Pro就不太合适你。 但我们也意外发现，采用Power VR G6200的魅族MX4实际游戏表现远远好于跑分，实际游戏性能和骁龙801很接近，看来对于手机玩游戏，PowerVR才是王道。如果你喜爱大型3D游戏,MX4是不错的选择。

　　Pro的坚持

　　对于MX4 Pro的续航我一直很担心，因为之前我们测试的Find 7 2K版相比Find 7标准版续航要差25%，我们担心这样的悲剧在同样采用2K屏的MX4 Pro上重演。

　　我们还是用电池容量(mAh)/机身近似体积(cm3)来衡量各个手机的电池容量比。魅族MX4 Pro的电池容量由MX4的3100mAh提升到了3350mAh，使得其这个系数依然可以维持MX4的水平，在高端旗舰之中仅仅低于iPhone 6 Plus。

　　之前我们手机评测对于续航能力缺乏系统化的测试，从MX4 Pro开始，我们引入PCMark For Android的Work battery life进行续航测试。这个测试项目通过网页浏览、1080P视频回放、文本编辑和照片处理四种中度负载模拟用户的日常使用。我们测试将所有测试机型屏幕亮度设置在200CD/M2(允许-偏差5)，开启通话，关闭wifi和数据浏览，在干净无后台应用的情况下进行。这个测试工作负载和用户平时手机使用情况类似，但要明显低于游戏，特别是3D游戏的负载，也低于开启3G/4G流量情况下网页/APP的负载。但我们这样的测试方法可以做到精确重复，能够保证准确反应不同手机的相对续航水平。

　　需要说明的是本次续航测试的魅族MX3是连续使用一年的老机器，电池老化会对续航能力有一定影响。

　　2K屏的Find 7和1080p的Find 7除开屏幕，其他配置完全一致，但由于2K屏的拖累，其续航从1080p的6个多小时降到4个半小时，续航能力损失25%。但魅族MX4 Pro的续航水平却高达6.3小时，这是在MX4 Pro采用2K屏，更大规模的处理器下获得的，颇为不易。

　　除开标准测试，我们再来说说实际体验，MX4 Pro的续航在重度使用的情况下(1小时视频 1小时熄屏音乐播放 1小时网页/APP 30张拍照)，坚持一天没有什么问题，这点比MX4更为让人放心。

　　对于续航的提升我们需要考虑几点，续航的提升不可能仅仅是依靠更大容量的3350mAh电池，它仅比MX4的3100mAh提升8%，但续航却提升了14%；MX4 Pro采用了更大的2K屏幕，虽然魅族一直在吹这个2K屏如何省电，但按照之前Find 7的经验，这2K屏再怎么省电，也必然不是省油的灯；那更长的续航从来而来，我们还是要从CPU，特别是从CPU的工艺说起。

　　工艺的胜利

　　魅族MX4 Pro更好的续航除了得益于更大的3350mAh电池，更大程度是得益于Exynos 5430所采用ARM处理器里最为先进的三星20nm HKMG工艺。

　　工艺这个玩意，可能大多普通消费者对其没有足够认识，我在这样尽量用阳春白雪的语言进行简单解读。处理器的集成电路存在线宽，工艺越先进，其线宽也就越小，线宽越小其密度就更高，相同规模的芯片在先进工艺下核心面积更小，工作电压也可以更低，发热更少。

　　三星半导体在2012年的工艺是32nm HKMG（代表MX2采用的Exynos 4412），2013年的工艺上28nm HKMG（代表MX2采用的Exynos 5410），而在2014年年底则会开始转向20nm HKMG，我们本次评测的MX4 Pro的Exynos 5430就是采用的这种最先进工艺。

　　相同规模的芯片20nm相比28nm面积可以缩小大约37%，这样可以进一步提升手机电路的集成度。另外一方面更小的芯片面积近意味着在相同尺寸的晶圆上可以切割出更多的芯片，20nm工艺的成本也会更低。当然，这个成本更低是在工艺成熟的情况下，而在现在工艺换代的初期，新工艺的产能有限，同时良品率也会较低，20nm芯片会比28nm的更贵。

　　除开更低的工作电压，20nm更大的改进在于其相比28nm的漏电率更低，或者也可以说20nm工艺可以在维持低漏电率的情况下获得更高的性能，上图右边是PFET管 20nm相比28nm， 在相同漏电情况下,20nm工艺的驱动电流(性能)有67-70%的提升。