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NAND Flash市场：需求劲增 价格狂跌
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主要制造厂因应需求增加，将扩充生产设备，另一方面，为提升生产效率也必须确保尖端制程技术。和其他半导体产品一样，伴随着NAND Flash的技术发展，价格将持续下滑。要在其中维持竞争力，就必须比其他竞争对手更早导入尖端技术，提升集成度并降低生产成本。
三星将Cell以3D垂直结构克服传统水平排列的制程瓶颈，并于2013年投入量产。2014年5月再推出第二代VNAND，从24层堆叠结构提升到32层，接着又推出32层结构的第三代TLCVNAND，巩固技术主导权。
三星电子(SamsungElectronics)8月初推出生产效能较其他产品高2倍的TLCVNAND，吸引业界目光。三星第1季将平面结构的TLCNAND Flash生产比重提升到60%。
紧跟在三星之后的东芝(Toshiba)日前决定对三重县四日市工厂执行资本支出，3年间将投资7,000亿日圆(约68.5亿美元)。东芝将在新工厂中生产VNAND产品。目前东芝的TLC生产比重为25%。
在1987年领先全球研发出NAND Flash的东芝，日前以涉嫌??偷窃NAND Flash技术为由，对SK海力士(SKHynix)提出告诉。南韩业界认为，这是东芝牵制SK海力士的策略。
SK海力士2012年投资2.85兆韩元(约27.6亿美元)，在南韩清州建设NAND Flash产线M12，并陆续购并义大利Ideaflash、美国LAMD、台厂银灿eMMC控制器事业部、美国ViolinMemory的PCIe事业部、东欧SofteqDevelopment的韧体事业部等，透过购并活动强化NAND Flash事业力量。
SK海力士预计2014年内完成VNAND和TLC产品研发，并于2015年投入TLC量产。
2013年购并日系大厂尔必达(Elpida)的美光(Micron)，也致力推动NAND Flash事业。美光2013年底将新加坡DRAM场转换为NAND Flash工厂，扩大NAND Flash产量。
在NAND Flash市占率方面，三星第1季为37.4%居冠，接着是东之31.9%、美光20.1%、SK海力士10.6%。
