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高通Gobi LTE芯片 “进化史”
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300Mbps高通发布第四代Modem芯片组
高通董事长兼首席执行官保罗·雅各布博士发表演讲时称，"全球移动数据流量将实现大幅增长，我们要为将来增长1000倍做好准备"，为了做好充分的准备，2013年高通发布了下载速率高达300Mbps的第四代调制解调器芯片组。
300Mbps高通发布第四代Modem芯片组
Gobi9x35调制解调器的最新特性包括宽频40MHzLTEAdvanced载波聚合，以及支持峰值数据速率最高达300Mbps的LTECategory6。LTECategory6与Category4相比，有效地将峰值下行速率提升了一倍。Gobi9x35是移动行业发布的首个20纳米制程LTEAdvanced调制解调器。值得一提的是第四代LTE芯片组网络数据速率是第二代芯片组解决方案的三倍。
另外高通还正式推出全球首款商用的4GLTEAdvanced嵌入式数据连接平台，其Category6下载速率最高达300Mbps，全新嵌入式连接平台基于美国高通技术公司的第四代3G/LTE调制解调器芯片Gobi9x30和射频收发芯片QualcommWTR3925。WTR3925还集成提供无缝全球定位的QualcommIZa定位平台。
在MWC2014上通过三星GALAXYNote3完成首次LTEAdvancedCategory6连接，演示中的三星GALAXYNote3是专门为LTECat6演示而设计和改装的，采用了高通骁龙805处理器和Gobi9x35调制解调器。
而在LTEAdvanced的下一阶段，载波聚合达到宽频（40MHz）级别，而20MHz载波聚合也已通过前一代QualcommGobi9x25芯片完成了商用部署和实现。全球的运营商如今面对的不仅是40MHz载波聚合，还有根据他们所在地区LTE频段的大量LTE载波聚合频段组合。Gobi9x35和WTR3925旨在解决这些日趋复杂的LTE载波聚合。
未来高通GobiModem发展之路
更多频谱、无处不在的小型基站以及更多ad-hoc小型基站三个方面给出了解决方案。而未来我们还会看到随着LTETDD/FDD将推动产业创新，LTE-Advanced、LTE广播及LTEDirect等技术将随之而来。
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