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三星GalaxyS5深度拆解:内部芯片大“揭秘”

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三星GalaxyS5深度拆解:内部芯片

  三星GalaxyS5摄像头

  GalaxyS5最亮的地方之一就是新的1600万像素、1/2.6"主摄像头。之前三星在S2、S3、Note3上使用的都是索尼传感器,这次终于用了自己的ISOCELLCMOS技术,号称能减少30%的干扰、提升30%的光敏全阱容量,自认为是取代背照式(BSI)的下一代传感器技术。

三星GalaxyS5深度拆解:内部芯片

三星GalaxyS5深度拆解:内部芯片

三星GalaxyS5深度拆解:内部芯片

三星GalaxyS5深度拆解:内部芯片

  下边就是三星ISCOCELL800万像素传感器的横断面显微图,可以看到前侧深槽隔离(F-DTI)、垂直传输栅极(VTG)两个关键技术。

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