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三星Galaxy S5芯片揭秘:“十大传感器”拆解分析

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  MPU6500的ASIC芯片采用标准CMOS工艺,使用6层平坦铝布线制程,工艺节点为0.18um。

三星Galaxy S5芯片揭秘:

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  MPU6500的MEMS芯片采用InvenSense的Nasiri工艺,该工艺能够与标准CMOS工艺紧密结合,并且使用体硅技术实现主要MEMS结构。ASIC芯片与MEMS芯片采用晶元级铝锗建合。

三星Galaxy S5芯片揭秘:

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  心率传感器

  这款神秘的传感器是S5主打的新性能,只需要将手指放在手机的相应位置上几秒钟,便可读出用户的心率,在智能手机中首次使用这种技术。该芯片为Maxim的MAX86900,封装尺寸为5.3mmx2.8mmx1.3mm。

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