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存储器版 生变 三星海力士美光东芝四分天下
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莫大康指出，前段时期厂商将DRAM产能转到NAND上，如今DRAM价格上升，产能又吃紧，因而做存储器要经得住周期的亏损。随着一次又一次的兼并，未来格局将相对稳定。
3D闪存浮出水面
存储器相对3D最容易实现，因为是把同一种芯片堆叠24层、32层就能提高容量，因此将在3D方面打先锋。
存储器虽然亦走在工艺领先进程的前列，但随着工艺的推进，亦面临新的挑战。业界主要投入量产的闪存芯片采用的是40多年前开发的浮栅结构。随着近来10纳米级制程工艺正式投入使用，存储单元间的间隔大幅缩小，使得电子外漏导致的电子干扰现象越来越严重。从某种程度上说，NAND闪存的微细化技术已达到了物理极限。
而借助于3D的力量，NAND闪存迎来新曙光。近期三星、东芝包括海力士都在努力，成为业界一大趋势。三星近日推出的3D NAND闪存，采用三星独创的"3D圆柱形电荷捕获型栅极存储单元结构技术"和"3D垂直堆叠制程技术"，与采用20纳米级单层结构的高性能NAND闪存产品相比，密度提高了两倍以上，由此显着提高了生产效率。三星此次将原来单层排列的存储单元以3D垂直堆叠方式重新排列，不仅同时实现了结构创新和制程创新，更将原有问题一并解决，使3D闪存芯片量产成为可能。这也使得3D芯片的发展进一步提速。
莫大康分析说，存储器相对3D最容易实现，因为是把同一种芯片堆叠24层、32层就能提高容量，因此存储器将在3D方面打先锋。未来NAND闪存竞争将迎来加高堆叠层数来实现大容量化的、彻底的技术转型。
莫大康最后指出，3D的路其实不好走，技术方面难度大，尤其是异质架构。其实最理想的是异质架构把逻辑、存储器、模拟、RF、MEMS都放在一起，这将实现半导体又一次大跃进，但目前还达不到。
