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Intel欲重操旧业 回归存储芯片市场
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Intel的也是COB，但在金属电介质堆栈底层内以凹洞形式做了一个MIM电容。这部分的工艺是22nm，九个金属层。
放大看电容阵列的边缘，可见M2、M3、M4三个金属层堆栈构成了电容的外层。
继续放大，可以看到与三栅极鳍片中部接触的子线(worldline)晶体管，以及末端的两个传递子线(passing wordlines)。
电容部分顶视图，显然都是矩形的，但具体材料还在分析中。
Intel表示，每一个单元单荣的容量是13fF，面积0.029平方微米，大致相当于其22nm SRAM单元面积(0.09平方微米)的三分之一，略大于IBM同类的0.026平方微米。
Intel退出DRAM行业已经几乎三十年了，现在有点借机重返的意味，但绝对不会大规模重来，指望Intel牌内存更是天方夜谭。
不过，下一代Knights Landing Xeon Phi高性能计算处理器倒是会搭配16GB eDRAM，等于128颗Haswell所用芯片，因此未来的主攻方向应该还是游戏、高性能计算。
