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英特尔台积电互相“侮辱”对方工艺？
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Intel如何在移动处理器市场立足？他们最大的筹码还是自己的半导体工艺技术，更先进的工艺可以带来更强的性能、更低的功耗。Intel此前表示，他们的制程工艺领先对手三年半，虽然没有指名道姓，但是谁都知道说的就是台积电。如今台积电也要反击了，指责Intel之前所用的台积电工艺数据图是过时的数据，台积电的工艺并不比Intel差多少。
在日前的一次会议上，台积电创始人兼董事长张忠谋表示，通常他们不会评论其他公司的技术，但是Intel之前的宣传有误，因此他不得不让台积电副总Mark Liu作出解释。
如下图所示，横坐标是工艺节点，靠前的数字如32nm、22nm、14nmFF是Intel的制程工艺，而28、20、16FF是台积电的制程工艺。纵坐标是逻辑电路的核心面积，其中蓝色曲线是Intel制程工艺与面积的走势图，灰色的是Intel之前PPT上的台积电的走势，但是台积电指出，Intel引用的资料是错误的，已经过时了，红色曲线才是台积电真正的走势图，Intel的资料夸大了二者之间的差距。
按照规划，台积电今年会量产20nm工艺，但是20nm不会持续很久，一年后的2015年台积电就会上马16nm FinFET工艺，因为16nm与20nm工艺是后端兼容的，而FinFET鳍式晶体管（Intel的说法是3D晶体管）可以大幅改善电路性能，核心面积也能缩小15%。Mark Liu表示他们的16nm工艺是晶体管密度最大的制程工艺。
台积电也不得不承认的是在16nm FF工艺之前，Intel确实有工艺优势，不过差距在缩小，16nm FF工艺只落后Intel一点，而到了10nm节点台积电会启用第三代FinFET工艺，该技术能带来业界领先的性能与晶体管密度。
