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安森美半导体用于低功率应用的高能效AC-DC开关稳压器方案
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2) NCP112x系列650 V单片开关稳压器
NCP112x系列峰值电流模式单片开关稳压器内置650 V额定雪崩能量MOSFET，采用65 kHz或100 kHz开关频率工作，采用PDIP-7封装，适合平板电视辅助电源、白家电、电表等应用。
这系列产品中，NCP1124和NCP1126分别集成导通阻抗为9 Ω和6 Ω的MOSFET，能够提供达15 W输出功率；NCP1129集成2 Ω MOSFET，能提供达25 W输出功率。这系列器件在轻载条件下频率能够反走至26 kHz及采用跳周期模式工作，帮助提升轻载能效。NCP112x支持正常及频率反走条件下的频率抖动，改善电磁干扰(EMI)性能。其它特性包括内置4 ms软启动、可调节限流及低空载待机能耗(<100 mW)等。
安森美半导体基于NCP1126开发了20 W参考设计。这参考设计提供5 V输出电压及最大5 A输出电流，采用外部补偿来优化输出负载，待机能耗极低。
图8：基于NCP1126的20 W参考设计提供极低待机能耗。
基于NCP1129的20 W参考设计提供12 V输出电压及连续1.6 A电流，同样提供高能效和极低待机能耗，适合白家电、电表、智能电表等应用。
图9：基于NCP1129的20 W参考设计适合白家电、电表/智能电表等应用。
3) NCP1136 800 V单片开关稳压器
NCP1136单片集成开关稳压器与NCP112x系列引脚对引脚兼容，其特性与NCP112x类似，均采用PDIP-7封装，集成额定雪崩能量MOSFET，同时具有轻载时频率反走、跳周期、快速软启动、可调节限流及低空载待机能耗等特性，适合平板电视辅助电源、白家电、消费电子及电表等应用。不同的是，NCP1136集成的是3.7 Ω导通阻抗、800 V MOSFET。基于NCP1136的20 W参考设计在宽负载范围条件下提供高能效，并提供低待机能耗(图10)。
